集成PMOS管變容特性分析與仿真建模

摘要：為適應PMOS變容管在集成電路設計中的晶體管級仿真，在分析MOS變容管特性的基礎上，通過(guò)確定關(guān)鍵點(diǎn)、以曲線(xiàn)擬合的方法建立與工藝參數相關(guān)的PMOS集成變容管高頻特性模型。選用Charted 0．35μm這個(gè)特定的工藝庫，并離散地改變電容連接的PMOS靜態(tài)偏壓、用HSpice仿真并對寄生電容提取后描繪出變容特性的準靜態(tài)曲線(xiàn)；用Matlab對所建的簡(jiǎn)化高頻變容模型進(jìn)行仿真、得出高頻變容曲線(xiàn)。仿真與理論結果相比較表明：PMOS管變容特性曲線(xiàn)與理論曲線(xiàn)的變化趨勢吻合；2種仿真對變容顯著(zhù)區吻合較好。從而證明了PMOS集成變容管高頻簡(jiǎn)化模型的正確性。
關(guān)鍵詞：PMOS管；準靜態(tài)曲線(xiàn)；特性曲線(xiàn)；高頻特性模型；變容模型

0 引言
變容管是壓控振蕩器、調頻器、鎖相環(huán)等電路的關(guān)鍵部件。傳統的分立電子線(xiàn)路常采用特制的二極管作為變容管，所用材料多為硅或砷化鎵單晶，并采用外延工藝技術(shù)。自動(dòng)頻率控制(AFC)和調諧所用的小功率變容二極管通常采用硅的擴散型二極管，也采用合金擴散、外延結合、雙重擴散等特殊工藝制作。作為壓控器件，這些傳統變容二極管的品質(zhì)因數很小，并且工藝也有特別的要求。這將不便和CMOS工藝兼容從而限制了它在CMOS模擬集成電路中的應用。因而，研究用CMOS工藝制作具有變容特性的MOS管代替一般變容二極管是普通工藝下IC設計很有意義的一項工作。雖然，人們對MOS電容的壓控變容特性進(jìn)行了廣泛而深入的研究，但對CMOS工藝集成的PMOS作變容管的研究并不多見(jiàn)。本文針對CMOS工藝下的PMOS壓控變容特性進(jìn)行研究，并對其高頻交變壓控特性建模，為CMOS工藝兼容高頻電路的晶體管級仿真提供簡(jiǎn)化模型。

1 MOS結構電容的壓控特性分析
1．1 理想MIS結構電容的壓控特性
根據半導體表面電場(chǎng)效應，通常按照多子堆積狀態(tài)、多子耗盡狀態(tài)及少子反型狀態(tài)3種彼此孤立的理想情況對MIS結構電容的壓控特性進(jìn)行理論分析。但實(shí)際上，3種情況間出現過(guò)渡過(guò)程，如堆積狀態(tài)與耗盡狀態(tài)間經(jīng)過(guò)有平帶狀態(tài)、耗盡狀態(tài)過(guò)渡到反型狀態(tài)經(jīng)歷弱反型直至強反型態(tài)，所以其壓控特性是連續變化的。倘若交變電壓頻率較高時(shí)，反型層中少子的產(chǎn)生與復合跟不上外電場(chǎng)的變化，其數量基本不變、空間電荷區的電容仍然由耗盡區的電荷變化決定的。因此，在反型區內電容的壓控特性有準靜態(tài)和高頻情形之區別，如圖1所示。