12V轉交流220V逆變器工作原理

今天我們來(lái)介紹一款逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS場(chǎng)效應管，普通電源變壓器構成。其輸出功率取決于MOS場(chǎng)效應管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛(ài)好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過(guò)程。

　　電路圖(1)

　　工作原理：

　　這里我們將詳細介紹這個(gè)逆變器的工作原理。

　　一、方波的產(chǎn)生

　　這里采用CD4069構成方波信號發(fā)生器。電路中R1是補償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而引起的震蕩頻率不穩。電路的震蕩是通過(guò)電容C1充放電完成的。其振蕩頻率為f=1/2.2RC。圖示電路的最大頻率為：fmax=1/2.2x103x2.2x10—6=62.6Hz，最小頻率為fmin=1/2.2x4.3x103x2.2x10—6=48.0Hz。由于元件的誤差，實(shí)際值會(huì )略有差異。其它多余的發(fā)相器，輸入端接地避免影響其它電路。

　　圖2

　　二、 場(chǎng)效應管驅動(dòng)電路。

　　由于方波信號發(fā)生器輸出的振蕩信號電壓最大振幅為0~5V，為充分驅動(dòng)電源開(kāi)關(guān)電路，這里用TR1、TR2將振蕩信號電壓放大至0~12V。如圖3所示。

　　圖3

　　三、 場(chǎng)效應管電源開(kāi)關(guān)電路。

　　場(chǎng)效應管是該裝置的核心，在介紹該部分工作原理之前，先簡(jiǎn)單解釋一下MOS場(chǎng)效應管的工作原理。

　　MOS場(chǎng)效應管也被稱(chēng)為MOS FET，即Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金屬氧化物半導體場(chǎng)效應管)的縮寫(xiě)。它一般有耗盡型和增強型兩種。本文使用的是增強型MOS場(chǎng)效應管，其內部結構見(jiàn)圖4。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱(chēng)為N溝道型，PNP型通常稱(chēng)P溝道型。由圖可看出，對于N溝道型的場(chǎng)效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場(chǎng)效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。我們知道一般三極管是由輸入的電流控制輸出的電流。但對于場(chǎng)效應管，其輸出電流是由輸入的電壓(或稱(chēng)場(chǎng)電壓)控制，可以認為輸入電流極小或沒(méi)有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時(shí)這也是我們稱(chēng)之為場(chǎng)效應管的原因。

　　圖4

　　為解釋MOS場(chǎng)效應管的工作原理，我們先了解一下僅含一個(gè)P—N結的二極管的工作過(guò)程。如圖5所示，我們知道在二極管加上正向電壓(P端接正極，N端接負極)時(shí)，二極管導通，其PN結有電流通過(guò)。這是因在P型半導體端為正電壓時(shí)，N型半導體內的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端，而P型半導體端內的正電子則朝N型半導體端運動(dòng)，從而形成導通電流。同理，當二極管加上反向電壓(P端接負極，N端接正極時(shí)，這時(shí)在P型半導體端為負電壓，正電子被聚集在P型半導體端，負電子則聚集在N型半導體端，電子不移動(dòng)，其PN結沒(méi)有電流流過(guò)，二極管截止。

　　圖 5

　　對于場(chǎng)效應管(圖6)，在柵極沒(méi)有電壓時(shí)，有前面的分析可知，在源極與漏極之間不會(huì )有電流流過(guò)，此時(shí)場(chǎng)效應管處于截止狀態(tài)(圖6a)。當有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS場(chǎng)效應管柵極上時(shí)，由于電場(chǎng)的作用，此時(shí)N型半導體的源極和漏極的負電子被吸引出來(lái)而涌向柵極，但由于氧化膜的阻擋，使得電子聚集在兩個(gè)N溝道之間的P型半導體中(見(jiàn)圖6b)，從而形成電流，使源極和漏極之間導通。我們也可以想象為兩個(gè)N型半導體之間為一條溝，柵極電壓的建立相當于為他們之間搭了一座橋梁，該橋梁的大小由柵壓決定。圖8給出了P溝道場(chǎng)效應管的工作過(guò)程，其工作原理類(lèi)似這里就不再重復。

　　圖 6