基于霍爾效應的緊湊型電流測量設計

　　一次電流產(chǎn)生的磁場(chǎng)會(huì )在磁性電路的間隙中生成線(xiàn)性磁通量B，磁通量B會(huì )在霍爾發(fā)生器中感應成比例的霍爾電壓VH。然后這個(gè)電壓被電子電路放大，得到一個(gè)與一次電流成比例的輸出模擬信號。HX系列可以測量DC電流和AC電流，以及相控整流器、有源電源轉換器、PWM轉換器和開(kāi)關(guān)式電源中復雜的電流波形。輸出電壓一直是一次電流的真映像。

　　抗dv/dt噪聲能力

　　在設計驅動(dòng)器控制和開(kāi)關(guān)設備時(shí)，工程師遇到的其中一個(gè)問(wèn)題是整流期間快速電壓變化導致的高dv/dt噪聲。

　　電源半導體技術(shù)一直在不斷發(fā)展?，F在，許多半導體產(chǎn)品大樣本中都可以看到整流速度非常高的IGBT。因此，當前通用逆電器一般會(huì )以很高的開(kāi)關(guān)頻率工作，通常在20 kHz以上。在這么高的頻率上工作的好處包括波形更平滑、操作更安全、效率更高。

　開(kāi)關(guān)設備每次開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的高dv/dt值將在主電纜和傳感器的電子電路之間產(chǎn)生電容電流。大多數模擬線(xiàn)性放大器對這種寄生電流很靈敏。因此，dv/dt噪聲將被疊加在輸出信號上。根據變動(dòng)電壓的幅度和斜坡，初始尖峰和后來(lái)的振蕩有時(shí)會(huì )非常高，以致它們會(huì )激活傳感器的電流保護電路，進(jìn)而使逆電器暫停運轉。LEM的經(jīng)驗在HX系列設計階段幫助保證了對關(guān)鍵噪聲的完美免疫力，而又不會(huì )損害帶寬，因此HX的性能要超過(guò)其它類(lèi)似的傳感器(圖2和圖3)。

　　對階躍電流的超快速響應時(shí)間對IGBT短路保護必不可少。HX系列可以以50A/?s以上的速度，準確追蹤電流變化，對階躍電流的響應最快為3s。

　　設計工程師經(jīng)常面臨的另一個(gè)棘手問(wèn)題是可用空間。小型傳感器有助于解決這個(gè)問(wèn)題，HX傳感器重僅8克，要求的安裝面積只有15 x 19 mm。但眾所周知，當這種傳感器并排放在三相應用中時(shí)，各自的一次電流可能會(huì )影響其它傳感器的電子器件。在并排安裝在三相應用中時(shí)，HX電流傳感器引起的相互干擾非常小(圖4)。

　　專(zhuān)用版HX傳感器有兩個(gè)一次線(xiàn)圈，這兩個(gè)線(xiàn)圈既可以串聯(lián)，也可以并聯(lián)(圖5)。在某些逆電器應用中，可以使用一對這樣的傳感器，測量所有三個(gè)相位，每個(gè)傳感器兩個(gè)相位(圖6)。這消除了對第三個(gè)單元的需要，有助于降低成本。AC測試電壓(50 Hz, 1分鐘)是3 kVRMS，間隙/漏電距離超過(guò)5.5mm，使這些傳感器特別適合中低功率范圍中的隔離電流測量。