大功率VDMOS(200V)的設計研究 作者: 時(shí)間:2011-12-28 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 英飛凌汽車(chē)電子生態(tài)圈 掃碼關(guān)注獲取最新最全汽車(chē)電子技術(shù)方案與實(shí)用技巧 收藏 3 結語(yǔ)200V VDMOS器件的設計主要受到擊穿電壓和導通電阻兩個(gè)參數的相互影響和相互制約,在設計中應優(yōu)化兩個(gè)參數的范圈。在滿(mǎn)足其中一個(gè)的條件下使另一個(gè)達到最優(yōu)的選擇,采用仿真設計可大大減少設計成本。 上一頁(yè) 1 2 3 下一頁(yè)
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