逆變H橋IGBT單管驅動(dòng)+保護詳解

如上圖所示，當上官開(kāi)通的時(shí)候，此時(shí)是截止的，由于上官開(kāi)通的時(shí)候，這個(gè)時(shí)候要引入DV/DT的概念，這個(gè)比較抽象，先不管它，簡(jiǎn)單通俗的說(shuō)就是上管開(kāi)通的時(shí)候，上管等效為直通了，+DC400V電壓立馬加入到下管的C級上，這么高的電壓立刻從IGBT的寄生電容上通過(guò)產(chǎn)生一個(gè)感應電流，這個(gè)感應電流上圖有公式計算，這個(gè)電流在RG電阻和驅動(dòng)內阻的共同作用下，在下管的柵極上構成一個(gè)尖峰電壓，如上面那個(gè)示波器的截圖所示。到目前為止，沒(méi)有引入米勒電容的概念，理解了這些，然后對著(zhù)規格書(shū)一看，米勒電容是什么，對電路有何影響，就容易理解多了。