晶閘管整流橋的應用

由圖可見(jiàn)，R6的電壓降達7V，在每個(gè)供電周期(=50Hz*6=300Hz)均流過(guò)電流。由于R2的電壓降被可控硅G、K極嵌位在2V以?xún)?，則在電阻R1上的壓降：
≥7-2=5(V)
電阻R1上的瞬時(shí)功率：≥5*5／47≈0．53(W)
可見(jiàn)，電阻R1需承受的功率較大，所以也要注意選取電阻R1、R2的功率足夠大，以充分保障整個(gè)觸發(fā)控制電路的可靠性；
(2)時(shí)序問(wèn)題：在上電時(shí)，如果在橋內的可控硅未滿(mǎn)足導通條件，就允許功率回路帶上負載，則電阻R5、R6很容易就燒斷損壞，所以上電時(shí)，一定要保證在充分滿(mǎn)足橋內的可控硅所需的開(kāi)通條件后，再允許功率回路帶上負載工作；同樣，掉電時(shí)，也要充分保證在完全斷開(kāi)負載后，再使可控硅關(guān)斷。否則，不但很容易會(huì )造成緩上電電阻R5、R6甚至R1、R2損壞，也使可控硅可能工作在大電流情況下關(guān)斷，極易產(chǎn)生很高的關(guān)斷過(guò)壓，進(jìn)而損橋內的可控硅，更是對橋內的可控硅的安全工作造成威脅；
(3)電流變化率問(wèn)題：在任何情況下，必須保證可控硅導通期任何時(shí)候的電流變化率都不能超過(guò)其標稱(chēng)的重復值；
(4)通態(tài)平均電流額定值：在實(shí)際使用中，由于不能充分保證整流橋的散熱，則元件應降額使用。具體降額多少，需根據實(shí)際使用狀況來(lái)決定。
(5)驅動(dòng)光耦問(wèn)題：由于涉及到強電、弱電隔離，可控硅導通時(shí)需要的推動(dòng)功率較大，光耦付邊耐壓?jiǎn)?wèn)題等，必須慎重的選擇內置可控硅的推動(dòng)光耦。

4 方案優(yōu)點(diǎn)分析
由圖2可見(jiàn)，由于很巧妙的利用緩上電電阻R6上的電壓降作為光耦TLP741的供電電源，在需要橋內的可控硅開(kāi)通時(shí)，才送出允許可控硅開(kāi)通的開(kāi)通信號；需要橋內的可控硅關(guān)斷時(shí)，才送出允許可控硅關(guān)斷的關(guān)斷信號。所以，在功率回路正常帶載工作時(shí)，KZi的電平是一直保持為低的，可控硅的關(guān)斷、導通過(guò)程完全是自適應的，無(wú)需專(zhuān)門(mén)的控制策略。這不但省去了一組專(zhuān)門(mén)的供電電源，也無(wú)傳統的可控硅觸發(fā)控制電路需求的由供電電源的檢出的同步脈沖(以確定觸發(fā)的時(shí)刻)、門(mén)極觸發(fā)所需求的隔離脈沖變壓器等，大大的簡(jiǎn)化了觸發(fā)控制電路，使整個(gè)觸發(fā)控制電路的工作更為可靠。

5 結束語(yǔ)
從上述的實(shí)驗結果來(lái)看，使用的內含一緩上電專(zhuān)用的可控硅三相整流全橋，可以完全替代傳統的采用繼電器作緩上電控制策略的緩上電方式，方便用戶(hù)簡(jiǎn)化電路設計，節省安裝空間，為進(jìn)一步提高產(chǎn)品可靠性提供了可能。雖然如此，但也存在著(zhù)如前面所述的許多需要注意的地方，并且在實(shí)際應用中一定要特別注意上下電的時(shí)序配合問(wèn)題，否則，在應用過(guò)程仍然會(huì )容易發(fā)生元器件損壞的故障。
實(shí)驗證明，只要解決好上述的問(wèn)題，用該整流橋取代傳統的用整流橋+繼電器組合作緩上電控制策略的優(yōu)越性還是很明顯的，該類(lèi)整流橋目前在我公司的交直流伺服產(chǎn)品上都已經(jīng)得到了很好的應用。