晶閘管整流橋的應用
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2．2 電路工作原理
由圖2可見(jiàn)， 當A、B、C端口剛送入3φ380VAC時(shí)，則：
(1)KZi送入的電平為高，TLP741原邊不通，則付邊不通，整流橋內置的可控硅不會(huì )導通，功率回路的充電電流只能通過(guò)三相全橋、R5、R6往功率電容C3充電，此前，上位機應禁止負載從功率電容C3上用電；
(2)當上位機檢測到C3電容兩端的電壓變化率小于規定值時(shí)，則KZi送入的電平為低，允許TLP741原邊導通，則付邊在滿(mǎn)足開(kāi)通的條件下，隨時(shí)準備好觸發(fā)整流橋內置的可控硅導通。此時(shí)，如果采樣電阻R6上的電壓降可能很小，不足以讓TLP741內的可控硅導通，或R6上的電壓降足夠讓TLP741內的可控硅導通，但并不足以讓整流橋內置的可控硅導通，則在此段時(shí)間內，整流橋內置的可控硅可能是不導通的；
(3)在送出的KZi信號為低，延時(shí)約10ms后(目的：充分保障觸發(fā)電路準備好)，允許功率回路C3帶負載。此時(shí)，如果C3電容兩端電壓比整流出的電壓(即圖2中的0端對2腳端的電壓)高，則整流橋內置的可控硅仍不導通，只有在下一個(gè)充電周期：當0端的電壓比1端的電壓高、且采樣電阻R6上的電壓降足以讓整流橋內置的可控硅導通時(shí)，可控硅才會(huì )導通。由圖2功率回路帶電機負載(負載功率約為5KW)后測得的可控硅控制極(6、7端)實(shí)際波形如圖3、圖4所示。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/177735.htm
由圖3可見(jiàn)，在觸發(fā)脈沖的高電平期間，為可控硅關(guān)斷時(shí)間，為主要由功率電容C3向負載提供功率期，約占整個(gè)脈沖周期的1／3；在觸發(fā)脈沖的低電平時(shí)間，為可控硅完全導通時(shí)間，為整流回路往功率電容充電并向負載提供功率期，約占整個(gè)脈沖周期的2／3。
圖4為圖3波形的部分展開(kāi)圖，或者可以說(shuō)是瞬時(shí)往功率回路充電需要提供的額外電流值：正常值為往電容C3的充電電流(對應圖3中的類(lèi)正弦波部分)，額外值為往負載提供做功的電流(對應圖3中的疊加在類(lèi)正弦波上的紋波部分)。圖4中的時(shí)間段對應于可控硅的關(guān)斷轉向導通、充電／負載電流均流經(jīng)電阻R5、R6的過(guò)渡期間。由于功率回路的PWM控制周期為6kHz，PWM開(kāi)通時(shí)，電流流經(jīng)R6，于是有觸發(fā)脈沖加到可控硅的C、K極，PWM關(guān)斷時(shí)，無(wú)電流流經(jīng)R6，于是無(wú)觸發(fā)脈沖加到可控硅的G、K極，所以此時(shí)間段內可控硅的觸發(fā)脈沖頻率也是6kHz。
(4)當發(fā)現有故障或掉電需要關(guān)斷可控硅時(shí)，上位機在完全斷開(kāi)功率回路的負載后，再使送出的KZi信號為高，則最多延時(shí)一個(gè)電周期(=1／(6*50) s≈3．33ms)后，可控硅必然關(guān)斷。
(5)重復1～4，即可實(shí)現一個(gè)完整的控制過(guò)程。
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