高效HIT太陽(yáng)能光伏電池技術(shù)調研
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時(shí)間：2012-04-25
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò )
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
HIT是HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer的縮寫(xiě),意為本征薄膜異（膜厚5～10nm）質(zhì)結.HIT太陽(yáng)能電池是以光照射側的p/i型a-Si膜和背面側的i/n型a-Si膜（膜厚5～10nm）夾住單結晶Si片的來(lái)構成的.
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/177421.htm
HIT太陽(yáng)能光伏電池基板以硅基板為主；在硅基板上沉積高能隙(Energybandgap)的硅奈米薄膜，表層再沉積透明導電膜，背表面有著(zhù)背表面電場(chǎng)。通過(guò)優(yōu)化硅的表面織構，可以降低透明導電氧化層（TCO）和a-Si層的光學(xué)吸收損耗。HIT太陽(yáng)能光伏電池抑制了p型、i型a-Si的光吸收率，而增強n型c-Si的光吸收率。
HIT太陽(yáng)能光伏電池在技術(shù)上的優(yōu)勢
由于HIT太陽(yáng)能電池使用a-Si構成pn結，所以能夠在200℃以下的低溫完成整個(gè)工序。和原來(lái)的熱擴散型的結晶太陽(yáng)電池的形成溫度（～900℃）相比較，大幅度地降低了制造工藝的溫度。由于這種對稱(chēng)構造和低溫工藝的特征，減少了因熱量或者膜形成時(shí)產(chǎn)生的Si晶片的變形和熱損傷，對實(shí)現晶片的輕薄化和高效化來(lái)說(shuō)是有利的，具有業(yè)界領(lǐng)先的高轉換效率（研究室水平為23％，量產(chǎn)水平為20％），即使在高溫下，轉換效率也極少降低，利用雙面單元來(lái)提高發(fā)電量。
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