解讀太陽(yáng)能逆變器設計的最新趨勢

由于能源成本日益攀升，太陽(yáng)能發(fā)電正逐漸成為一項可行的替代能源。德國政府通過(guò)立法，推出各種激勵手段積極鼓勵可再生能源的使用(如《再生能源法》“Energieeinspeisungsgesetz”)，受此驅使，至2007年，該國一直是全球最大的太陽(yáng)能市場(chǎng)。而現在，其它國家已超過(guò)德國，例 如西班牙在2008年的新建太陽(yáng)能發(fā)電廠(chǎng)數量居全球之冠，而意大利、法國和美國的已安裝太陽(yáng)能發(fā)電容量預計將呈大幅增長(cháng)。多種激勵措施推動(dòng)需求走高，繼而 刺激產(chǎn)能增長(cháng)。但由于最近全球經(jīng)濟危機的爆發(fā)和2008年西班牙對太陽(yáng)能市場(chǎng)的激勵措施突然撤銷(xiāo)，致使太陽(yáng)能芯片供大于求，導致價(jià)格下跌40%-50%。 這使得光伏技術(shù)更接近所謂的“平價(jià)電價(jià)”(grid parity)目標，亦即太陽(yáng)能發(fā)電成本與目前電能市價(jià)相當。預計在2015年，德國將可實(shí)現均一電價(jià)。

太陽(yáng)能模塊產(chǎn)生一個(gè)直流電壓，太陽(yáng)能逆變器再把這一直流電能轉換為交流電能，然后接入電網(wǎng)。本文將探討太陽(yáng)能逆變器設計的最新趨勢。

其中一個(gè)重要趨勢是采用更高的功率?，F在，峰值發(fā)電量超過(guò)100kW的太陽(yáng)能發(fā)電廠(chǎng)越來(lái)越普遍，而較小規模的發(fā)電系統也存在這種趨勢：平均功率從5kWp 提高到10kWp。

升壓＋H-橋拓撲是太陽(yáng)能逆變器極為常用的拓撲之一，是一種兩級非隔離拓撲。其第一級是升壓級，用于把模塊的可變輸出電壓(例如100V – 500V)升高到更大的中間電壓，后者必須大于實(shí)際峰值主線(xiàn)電壓(如230V x sqrt(2)，或>325V)。該升壓級還有一個(gè)重要作用，就是為了實(shí)現效率最大化，太陽(yáng)能模塊必須運作產(chǎn)生盡可能大的功率，而太陽(yáng)能模塊的功率 曲線(xiàn)可通過(guò)輸出電流乘以輸出電壓數值獲得。功率特性中有一個(gè)最大點(diǎn)，被稱(chēng)為“最大功率點(diǎn)”或MPP，而這精確位置會(huì )隨著(zhù)模塊的類(lèi)型、溫度和日照陰影等因素 而變化。

利用名為“最大功率點(diǎn)跟蹤”或MPPT的軟件技術(shù)，輔以定制化算法，逆變器的輸入級便可跟蹤這個(gè)最大功率點(diǎn)。

逆變器的第二級把恒定的中間電壓轉換為50Hz的交流電壓，再饋入供電主線(xiàn)。這個(gè)輸出與供電主線(xiàn)的相位及頻率同步。這一級由于與供電主線(xiàn)連接，故即便在故 障狀態(tài)下也必須達到一定的安全標準。除此之外，還有一個(gè)與低壓指令 (Low Voltage Directive) 相關(guān)的VDE 0126-1-1新草案，該提案要求太陽(yáng)能逆變器在電能質(zhì)量下降的情況下也應有源支持主供電網(wǎng)，以盡量降低更具普遍性的停電風(fēng)險。在現有法規限制之下，是 可以設計一個(gè)在停電時(shí)能夠實(shí)時(shí)關(guān)斷逆變器，以實(shí)現自我保護。不過(guò)，當太陽(yáng)能逆變器變得普及，并在總發(fā)電量中占有可觀(guān)的份額時(shí)，如果一遇上停電便直接關(guān)斷連 接的太陽(yáng)能逆變器的話(huà)，是可能造成更大規模的主電網(wǎng)停電的，因為這樣逆變器便會(huì )一個(gè)接一個(gè)關(guān)斷，并迅速減少電網(wǎng)中的電能。因此，新的指令草案旨在提高主干 配電網(wǎng)的穩定性和電能質(zhì)量，而代價(jià)僅僅是使逆變器的輸出級稍微復雜一點(diǎn)。

太陽(yáng)能逆變器必須可靠，以盡量減小維護和停機檢修的成本。這些逆變器還必須具有高效，以盡量增大發(fā)電量。太陽(yáng)能逆變器設計人員還需付出相當的努力，以盡可 能地提高效率。

有很多方法能夠提高升壓逆變器的效率。由于升壓逆變器可在連續傳導模式或邊界傳導模式(CCM 或 BCM)下工作，這就衍生出不同的優(yōu)化方案。在CCM模式中，損耗的一大主因是升壓二極管的反向恢復電流；在這種情況下，一般使用碳化硅二極管或飛兆半導 體的Stealth 二極管來(lái)解決。太陽(yáng)能逆變器更常采用的是BCM模式，而盡管對這類(lèi)功率級通常建議選擇CCM模式，但采用BCM模式的原因在于BCM模式中二極管的正向電 壓要低得多。而且，BCM模式也具有高得多的EMI濾波器和升壓電感紋波電流。這時(shí)，良好的高頻電感設計是一解決方案。

采用兩個(gè)交錯式升壓級來(lái)取代一個(gè)升壓級乃一種新方法。這樣一來(lái)，流經(jīng)每個(gè)電感和每個(gè)開(kāi)關(guān)的電流便能夠減半。另外，采用交錯式技術(shù)，一級上的紋波電流 可抵償另一級的紋波電流，因而可在很寬工作輸入范圍上去除輸入紋波電流。如FAN9612交錯式BCM PFC一類(lèi)的控制完全能夠輕松滿(mǎn)足太陽(yáng)能升壓級的要求。

逆變器中的升壓開(kāi)關(guān)有兩個(gè)選擇：IGBT或 MOSFET。對于需要600V以上額定開(kāi)關(guān)電壓的輸入級，常常會(huì )采用1200V IGBT快速開(kāi)關(guān)，如FGL40N120AND。對于額定電壓只需600V/650V的輸入級，則選用MOSFET。

輸出H-橋級的設計人員一直以來(lái)都采用600V/650V MOSFET，但因為新的草案規范要求輸出級以四象限工作，于是在這一領(lǐng)域重新點(diǎn)燃了人們對IGBT的興趣。MOSFET雖然內置有體二極管，但相比 IGBT中采用的組合封裝二極管，其開(kāi)關(guān)性能很差。新型的場(chǎng)截止IGBT能夠以10V/ns的速度轉換電壓，較之以往的舊式產(chǎn)品導通損耗大大改善。這種集 成式二極管具有出色的軟恢復性能，有助于降低500A/us以上的高di/dt造成的EMI。對于16kHz-25kHz開(kāi)關(guān)，建議采用IGBT，例如飛 兆半導體的 FGH60N60UFD。

太陽(yáng)能逆變器設計的另一個(gè)趨勢是擴大輸入電壓范圍，這會(huì )導致相同功率級下輸入電流的減小，或相同輸入電流下功率級的提高。輸入電壓比較高時(shí)，需要使用額定 電壓更高(1200V范圍內)的IGBT，從而產(chǎn)生更大的損耗。解決這一問(wèn)題的一個(gè)方法是采用三電平逆變器。

采用兩個(gè)串聯(lián)的電解電容可把高輸入電壓一分為二，將中間點(diǎn)與零線(xiàn) (neutral line)連接，這時(shí)就可以再采用600V開(kāi)關(guān)了。三電平逆變器可在三個(gè)電平間進(jìn)行轉換：+Vbus、0V 和 –Vbus。這方案除了比1200V開(kāi)關(guān)構建的解決方案更有效之外，三電平逆變器還有一個(gè)優(yōu)勢，就是輸出電感大為減小。

對于整功率因數，三電平逆變器的功能可解釋如下。在正半波Q5始終導通期間，Q6 和 Q4一直關(guān)斷。Q3 和 D3構成一個(gè)降壓轉換器，產(chǎn)生輸出正弦波電壓。如果只需要整功率因數，Q5 和 Q6 可設計為 50Hz開(kāi)關(guān)，采用速度極慢Vce (飽和電壓)極低的IGBT，比如FGH30N60LSD。若需要較低的功率因數，Q5 和 Q6必須工作在開(kāi)關(guān)頻率下一小段時(shí)間。Q3 和 Q4的二極管應該是快速軟恢復二極管。Q3 和 Q4可安排為快速恢復MOSFET，比如FGL100N50F ，或者是快速 IGBT，如FGH60N60SFD。

基于上述分析，三電平逆變器拓撲可獲得98%以上的效率，因此可能成為5kWp以上功率級非隔離逆變器的主流結構。