不同徑向間距對磁阻式接近開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)性能的影響

摘要：為了尋找一種接近開(kāi)關(guān)用于對鐵磁性物質(zhì)的檢測，設計了基于銻化銦磁敏電阻的接近開(kāi)關(guān)。介紹了它的工作原理和信號處理電路，并對不同徑向間距對應的動(dòng)作距離特性進(jìn)行了實(shí)驗研究。實(shí)驗結果表明，徑向間距為4 mm時(shí)，接近開(kāi)關(guān)性能最佳，此時(shí)接近開(kāi)關(guān)動(dòng)作距離為8．14 mm，回差距離為0．05 mm，重復定位精度小于0．04 mm。該接近開(kāi)關(guān)靈敏度高，開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)特性較好，可適應于工作頻率0～5 kHz范圍內的鐵磁性物質(zhì)檢測。

關(guān)鍵詞：接近開(kāi)關(guān)；磁敏電阻；銻化銦；開(kāi)關(guān)動(dòng)態(tài)性能

0 引言

接近開(kāi)關(guān)無(wú)需與運動(dòng)部件進(jìn)行機械接觸，就可以對被檢測物體進(jìn)行位置檢測，將物體位置量轉換成開(kāi)關(guān)量電信號，輸出至負載以完成信號控制或信號的轉換。接近開(kāi)關(guān)的本質(zhì)是一種電子開(kāi)關(guān)型傳感器，具有傳感器的優(yōu)良性能，其動(dòng)作可靠、性能穩定、頻率響應高、抗干擾能力強、重復定位精度高，且與被測物體無(wú)機械接觸，具有防水、防油污、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)。利用銻化銦磁敏電阻對鐵磁性物體具有較高靈敏度的優(yōu)點(diǎn)可制成磁阻式接近開(kāi)關(guān)，替代傳統的電磁式和霍爾式接近開(kāi)關(guān)，實(shí)現對鐵磁性物體檢測，用于定位控制和位移、計數、轉速等方面的測量。

1 銻化銦磁阻式接近開(kāi)關(guān)工作原理

銻化銦磁阻式接近開(kāi)關(guān)是基于銻化銦磁阻效應原理制成的，其核心部件為銻化銦磁敏電阻。銻化銦磁敏電阻主要組件為電極、引腳、磁阻元件MR1和MR2(阻值大致相等)、永磁體、絕緣基片和金屬外殼(屏蔽外部干擾和保護磁阻元件)。內部由環(huán)氧樹(shù)脂灌封而成，三個(gè)引腳分別與電源、地線(xiàn)和輸出端相連，其內部結構和等效電路如圖1所示。其中永磁體為兩個(gè)磁阻元件提供偏置磁場(chǎng)，使磁敏電阻工作特性移到電阻-磁場(chǎng)變化曲線(xiàn)的線(xiàn)性范圍之內，提高磁敏電阻靈敏度。由于偏置磁場(chǎng)使磁敏電阻處于相同的磁場(chǎng)環(huán)境，因而當無(wú)鐵磁性物體靠近時(shí)，磁阻元件MR1和MR2阻值基本相同。當鐵磁性物體通過(guò)磁敏電阻時(shí)，永磁體的磁場(chǎng)分布發(fā)生變化，先通過(guò)磁阻元件MR1時(shí)，通過(guò)MR1的磁感強度增大，通過(guò)MR2的磁感強度減小，因此致使MR1的阻值增大，MR2的阻值減??；反之，當鐵磁性物體通過(guò)MR2時(shí)，MR2的阻值增大，MR1的阻值減小。在直流電源供電的情況下，兩個(gè)磁阻元件阻值的變化將引起磁敏電阻的輸出電壓發(fā)生變化。

2 信號處理電路

磁敏電阻的輸出電壓輸入到銻化銦磁阻式接近開(kāi)關(guān)電路，經(jīng)信號放大電路、比較電路和驅動(dòng)電路幾部分處理，就可得到與磁信號相對應的開(kāi)關(guān)量電壓信號，如圖2所示。磁敏電阻采用三端式輸出，可以有效減小環(huán)境溫度變化引起的溫度漂移，且能穩定低頻時(shí)放大電路的輸出電壓。電壓跟隨器用于提高信號放大級的輸入電阻，減小輸出電阻，降低對銻化銦磁敏電阻影響。采用直接耦合方式進(jìn)行濾波放大，可滿(mǎn)足較寬頻率范圍的檢測需要，并能濾除環(huán)境中的高頻噪聲。反相輸入比較器保證接近開(kāi)關(guān)具有較好的動(dòng)態(tài)響應、較小的差程和較高的靈敏度。實(shí)際應用中，可根據動(dòng)作距離需要調節電位器R8，設置比較級電路的閾值電壓。驅動(dòng)電路的達林頓連接方式用于提高接近開(kāi)關(guān)的帶負載能力。

3 實(shí)驗結果及討論

實(shí)驗使用釹鐵硼磁鐵(表面磁感應強度為210 mT，與接近開(kāi)關(guān)的相對面積為2．5×10 mm2)為檢測物體，設接近開(kāi)關(guān)表面與釹鐵硼磁鐵的相對距離為徑向間距，接近開(kāi)關(guān)中心到釹鐵硼磁鐵中心的水平距離為側向間距，接近開(kāi)關(guān)中心位置設為零距離。實(shí)驗過(guò)程中，將釹鐵硼磁鐵以0．2 mm／s的運動(dòng)速度沿水平方向靠近接近開(kāi)關(guān)感應面，當距接近開(kāi)關(guān)較遠時(shí)，磁敏電阻未受磁鐵的影響，因此磁阻元件阻值大致相等，磁敏電阻輸出電壓為2．56 V，此時(shí)電路處于低電平工作狀態(tài)。當釹鐵硼磁鐵逐漸靠近接近開(kāi)關(guān)內置的磁阻元件MR1時(shí)，其阻值增大，而MR2阻值減小，當接近開(kāi)關(guān)輸出高電平時(shí)，記錄此時(shí)的側向間距，即得到接近開(kāi)關(guān)的動(dòng)作距離。當釹鐵硼磁鐵越過(guò)接近開(kāi)關(guān)中心位置到達接近開(kāi)關(guān)中心位置另一側時(shí)，接近開(kāi)關(guān)輸出低電平時(shí)，記錄此時(shí)的側向間距，得到接近開(kāi)關(guān)的復位距離。

由于徑向間距不同的情況下，釹鐵硼磁鐵產(chǎn)生的磁場(chǎng)會(huì )對磁敏電阻產(chǎn)生不同的影響。因而放大電路的輸出電壓也將發(fā)生不同變化，但實(shí)驗過(guò)程可知，徑向間距3～9 mm范圍內，徑向間距對應的電壓輸出曲線(xiàn)變化趨勢基本一致。由于接近開(kāi)關(guān)比較級電路的閾值電壓保持不變，因此不同徑向間距下，接近開(kāi)關(guān)的動(dòng)作距離、復位距離、回差值和差程等開(kāi)關(guān)特性也不同。實(shí)驗測量取同一接近開(kāi)關(guān)重復10次實(shí)驗，測量結果的平均值如表1所示。