開(kāi)關(guān)電源MOSFET驅動(dòng)電路介紹及分析

　　如圖6（a）所示，V1、V2為互補工作，電容C起隔離直流的作用，T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐。導通時(shí)隔離變壓器上的電壓為（1－D）Ui、關(guān)斷時(shí)為DUi，若主功率管S可靠導通電壓為12V，則隔離變壓器原副邊匝比N1/N2為12/（1－D）/Ui。為保證導通期間GS電壓穩定C值可稍取大些。實(shí)驗波形見(jiàn)圖7（a）。該電路具有以下優(yōu)點(diǎn)：

　?、?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/電路">電路結構較簡(jiǎn)單可靠，具有電氣隔離作用。當脈寬變化時(shí)，驅動(dòng)的關(guān)斷能力不會(huì )隨著(zhù)變化。

　?、谠撾娐分恍枰粋€(gè)電源，即為單電源工作。隔直電容C的作用可以在關(guān)斷所驅動(dòng)的管子時(shí)提供一個(gè)負壓，從而加速了功率管的關(guān)斷，且有較高的抗干擾能力。

　　表1不同占空比時(shí)toff的變化情況

　　但該電路所存在的一個(gè)較大缺點(diǎn)是輸出電壓的幅值會(huì )隨著(zhù)占空比的變化而變化。當D較小時(shí)，負向電壓小， 該電路的抗干擾性變差，且正向電壓較高，應該注意使其幅值不超過(guò)MOSFET柵極的允許電壓。當D大于0.5時(shí)驅動(dòng)電壓正向電壓小于其負向電壓，此時(shí)應該注意使其負電壓值不超過(guò)MOSFET柵極的允許電壓。所以該電路比較適用于占空比固定或占空比變化范圍不大以及占空比小于0.5的場(chǎng)合。

　　6（b）為占空比大于0.5時(shí)適用的驅動(dòng)電路，其中Z2為穩壓二極管，此時(shí)副邊繞組負電壓值較大，Z2的穩壓值為所需的負向電壓值，超過(guò)部分電壓降在電容C2上，其實(shí)驗波形見(jiàn)圖7（b）。