Flyback的次級側整流二極管的RC尖峰吸收問(wèn)題分析

在討論Flyback的次級側整流二極管的RC尖峰吸收問(wèn)題，在處理此類(lèi)尖峰問(wèn)題上此處用RCD吸收會(huì )比用RC 吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰電壓可以壓得更低(合理的參數搭配，可以完全吸收，幾乎看不到尖峰電壓)，而且吸收損耗也更小。

　　整流二極管電壓波形(RC吸收)

　　整流二極管電壓波形(RCD吸收)

　　從這兩張仿真圖看來(lái)，其吸收效果相當，如不考慮二極管開(kāi)通時(shí)高壓降，可以認為吸收已經(jīng)完全。

　　試驗過(guò)后，你應該會(huì )很驚喜，二極管可以采用貼片的(快速開(kāi)關(guān)二極管，如果參數合適，1N4148不錯)，電阻電容都可以用貼片的。

　　此處的RCD吸收設計，可以這樣認為：為了吸收振蕩尖峰，C應該有足夠的容值，已便在吸收尖峰能量后，電容上的電壓不會(huì )太高，為了平衡電容上的能量，電阻R需將存儲在電容C中的漏感能量消耗掉，所以理想的參數搭配，是電阻消耗的能量剛好等于漏感尖峰中的能量(此時(shí)電容C端電壓剛好等于Uin/N+Uo)，因為漏感尖峰能量有很多不確定因素，計算法很難湊效，所以下面介紹一種實(shí)驗方法來(lái)設計

　　1.選一個(gè)大些的電容(如100nF)做電容C，D選取一個(gè)夠耐壓>1.5*(Uin/N+Uo)的超快恢復二極管(如1N4148);

　　2.可以選一個(gè)較小的電阻10K，1W電阻做吸收的R;

　　3.逐漸加大負載，并觀(guān)察電容C端電壓與整流管尖峰電壓：

　　如C上電壓紋波大于平均值的20%，需加大C值;

　　如滿(mǎn)載時(shí)，C端電壓高于Uin/N+Uo太多(20%以上，根據整流管耐壓而定),說(shuō)明吸收太弱，需減小電阻R;