選擇性發(fā)射極晶體硅太陽(yáng)電池實(shí)現方法分析

所謂選擇性發(fā)射極(SE-selectiveemiter)晶體硅太陽(yáng)電池，即在金屬柵線(xiàn)(電極)與硅片接觸部位進(jìn)行重摻雜，在電極之間位置進(jìn)行輕摻雜。這樣的結構可降低擴散層復合，由此可提高光線(xiàn)的短波響應，同時(shí)減少前金屬電極與硅的接觸電阻，使得短路電流、開(kāi)路電壓和填充因子都得到較好的改善，從而提高轉換效率。

該結構電池的優(yōu)點(diǎn)

1、降低串聯(lián)電阻，提高填充因子

2、減少載流子Auger復合，提高表面鈍化效果

3、改善光線(xiàn)短波光譜響應，提高短路電流和開(kāi)路電壓

一 、印刷磷槳(云南師范)

特點(diǎn)：磷漿容易高溫揮發(fā)，選擇性不佳。也可以一次性實(shí)現選擇性擴散。

二 、腐蝕出擴散掩膜層(南京中電)

特點(diǎn)：阻擋層用氧化硅或氮化硅，刻蝕漿料主要利用釋放的氟化氫來(lái)刻蝕。也可以控制氧化硅的膜厚，形成半阻擋膜，一次性擴散。困難在，漿料的印刷性能，擴散均勻性，印刷對齊。

三、 直接印刷掩膜層(schmid，centrotherm)

特點(diǎn)：要求掩膜的印刷特性要好，抗氫氟酸要好，容易清除。工藝步驟簡(jiǎn)單。困難在，擴散均勻，印刷對齊。schmid 的腐蝕法SE 電池交鑰匙工程，centrotherm 的激光刻蝕氧化膜SE電池交鑰匙工程。

四、濕法腐蝕重擴散層/等離子體刻蝕重擴

特點(diǎn)：濕法可用氫氟酸和硝酸體系或強堿，將暴露的重擴散層腐蝕成淺擴散層。要求耐腐蝕漿料。干法等離子體，用四氟化碳或氟化氮等氟化物形成的氟離子來(lái)刻蝕暴露的中摻雜部分。干法也可用銀漿做掩膜。

五、LDSE(新南威爾士)

特點(diǎn)：用到激光和電鍍，工序多，工藝復雜。電鍍有多種選擇。電鍍的銀的導電性約是銀漿的10 倍?？梢怨澥≠F金屬。用鎳銅銀，或鎳銅錫結構，可以省掉貴金屬?？梢园褎h線(xiàn)做的很密很細，或其他優(yōu)化結構。

六、 硅墨技術(shù)(Innovalingt，OTB)

特點(diǎn)：只需增加一臺印刷機，就可實(shí)現較大幅度的效率提升。在現有工藝設備基礎上也容易升級。