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選擇性發(fā)射極晶體硅太陽(yáng)電池實(shí)現方法分析

  • 所謂選擇性發(fā)射極(SE-selectiveemiter)晶體硅太陽(yáng)電池，即在金屬柵線(xiàn)(電極)與硅片接觸部位進(jìn)行重摻雜，在電極之間位置進(jìn)行輕摻雜。這樣的結構可降低擴散層復合，由此可提高光線(xiàn)的短波響應，同時(shí)減少前金屬電極與硅的
  • 關(guān)鍵字： 實(shí)現  方法  分析  電池  太陽(yáng)  發(fā)射  晶體  選擇性  

大面積單結集成型a－Si:H太陽(yáng)電池的結構與制備的實(shí)現

  • 1引言眾所周知，利用太陽(yáng)能有許多優(yōu)點(diǎn)，光伏發(fā)電將為人類(lèi)提供主要的能源，但目前來(lái)講，要使太陽(yáng)能發(fā)電具有較大的市場(chǎng)，被廣大的消費者接受，提高太陽(yáng)電池的光電轉換效率，降低生產(chǎn)成本應該是我們追求的最大目標，從目
  • 關(guān)鍵字： 結構  制備  實(shí)現  電池  太陽(yáng)  結集  成型  Si:H  大面積  

基于A(yíng)RM嵌入式圖像處理平臺的太陽(yáng)跟蹤系統

  • 基于A(yíng)RM嵌入式圖像處理平臺的太陽(yáng)跟蹤系統,摘要：基于計算機視覺(jué)原理，以ARM微控制器為核心構建嵌入式圖像處理平臺，實(shí)現了對太陽(yáng)的實(shí)時(shí)跟蹤。系統采用CMOS圖像傳感器采集太陽(yáng)圖像，通過(guò)微控制器計算太陽(yáng)角度，通過(guò)串口控制轉臺，實(shí)現對太陽(yáng)的高精度跟蹤。同時(shí)
  • 關(guān)鍵字： 太陽(yáng)  跟蹤  系統  平臺  圖像處理  ARM  嵌入式  基于  

薄膜太陽(yáng)電池――太陽(yáng)能的利用

  • 硅太陽(yáng)電池的應用日趨廣泛, 但昂貴的原材料成為發(fā)展的瓶頸. 薄膜太陽(yáng)電池由于只需使用一層極薄的光電材料，材料使用非常少。并可使用軟性襯底，應用彈性大，如果技術(shù)發(fā)展成熟，其市場(chǎng)面將相當寬闊。本文就迄今被人們
  • 關(guān)鍵字： 薄膜  電池  太陽(yáng)  太陽(yáng)能電池  太陽(yáng)能  利用  

硅片厚度對多晶硅太陽(yáng)電池性能的影響

  • 為了進(jìn)一步降低多晶硅太陽(yáng)電池的成本，研究了硅片厚度對多晶硅太陽(yáng)電池的短路電流密度、開(kāi)路電壓和效率的影響?？梢钥闯?，在保證多晶硅太陽(yáng)電池性能不變或者提高的前提下，硅片厚度可以減小到200um，如果繼續減小厚度
  • 關(guān)鍵字： 電池  硅片  太陽(yáng)  太陽(yáng)能  影響  性能  厚度  多晶硅  

晶體硅太陽(yáng)電池使用壽命、衰減趨勢、衰減率

  • 常規晶體硅太陽(yáng)電池使用壽命一般承諾20或25年（一般組件出廠(chǎng)有質(zhì)保書(shū)，保證什么時(shí)候衰減到多少），晶體硅太陽(yáng)電池片由于晶體生長(cháng)過(guò)程中引入雜質(zhì)，對電池片的初期光照會(huì )導致其中的摻雜劑和氧、鐵等雜質(zhì)形成復合中心，
  • 關(guān)鍵字： 衰減  趨勢  壽命  使用  太陽(yáng)  電池  晶體  

準單晶-太陽(yáng)電池技術(shù)概況

  • 1.準單晶技術(shù)簡(jiǎn)介1.1傳統的單晶硅和多晶硅技術(shù)我們知道，單晶硅一般是采用直拉法（CZ法）制得，用特定晶向的單晶籽晶進(jìn)行引晶，經(jīng)過(guò)旋轉提拉得到目標晶向的單晶硅棒，所得產(chǎn)品僅含一個(gè)晶粒，具有低缺陷、高轉換效率等
  • 關(guān)鍵字： 概況  技術(shù)  電池  太陽(yáng)  單晶  

用80C196KC單片機實(shí)現太陽(yáng)跟蹤

  • 0　引　言聚光式太陽(yáng)集熱器盡管必須精確地跟蹤太陽(yáng)，以確保好的效果，但仍然比普通的平面太陽(yáng)集熱裝置有著(zhù)明顯的優(yōu)勢，特別是中溫和高溫應用?！「鞣N型式的裝置，從簡(jiǎn)單到復雜，應用于太陽(yáng)跟蹤，主要可以分成兩大類(lèi)，
  • 關(guān)鍵字： 跟蹤  太陽(yáng)  實(shí)現  單片機  80C196KC  

晶體硅太陽(yáng)電池減反射膜的研究

  • 摘要：在太陽(yáng)電池表面形成一層減反射薄膜是提高太陽(yáng)電池的光電轉換效率比較可行且降低成本的方法。應用PECVD(等離子體增強化學(xué)氣相沉積)系統，采用SiH4和NH3氣源以制備氮化硅薄膜。研究探索了PECVD生長(cháng)氮化硅薄膜的基
  • 關(guān)鍵字： 研究  反射  電池  太陽(yáng)  晶體  

柔性非晶硅薄膜太陽(yáng)電池技術(shù)

  • 在過(guò)去的幾十年中，人類(lèi)經(jīng)濟活動(dòng)的持續高速發(fā)展使得電力需求迅速增加。太陽(yáng)電池是一種利用光生伏特效應將太陽(yáng)能能直接轉換為電能的半導體器件，很容易實(shí)現并網(wǎng)發(fā)電或作為獨立能源。眾所周知，太陽(yáng)電池發(fā)電具有許多優(yōu)
  • 關(guān)鍵字： 電池  技術(shù)  太陽(yáng)  薄膜  非晶  柔性  

大面積單結集成型a－Si:H太陽(yáng)電池的結構設計與制備分析

  • 摘要：大面積單結集成型a－Si:H太陽(yáng)電池的結構設計技術(shù)，并分析了制備工藝對其性能的影響。關(guān)鍵詞：太陽(yáng)電池設計分析Structural Device and Preparation Analysis of Large AreaSingle Junction Integrated a－ Si:H
  • 關(guān)鍵字： 結構設計  制備  分析  電池  太陽(yáng)  結集  成型  Si:H  大面積  

基于COMS圖像傳感器的太陽(yáng)自動(dòng)跟蹤控制器設計與實(shí)現

  • 設計一種基于COMS圖像傳感器的太陽(yáng)自動(dòng)跟蹤控制器，上位機通過(guò)MCC實(shí)現VC++與Matlab聯(lián)合編程，實(shí)時(shí)控制圖像傳感器獲取太陽(yáng)光斑圖像。經(jīng)Matlab計算，得到太陽(yáng)光寬質(zhì)心坐標與圖像中心坐標的偏差，轉化為水平和俯仰的步進(jìn)電機需調整的步數，進(jìn)而實(shí)時(shí)調整平面鏡跟蹤裝置，使太陽(yáng)光斑始終在圖像中心位置。實(shí)驗結果表明，該裝置實(shí)現了太陽(yáng)自動(dòng)跟蹤的目的，具有較高的跟蹤精度。
  • 關(guān)鍵字： 跟蹤  控制器  設計  實(shí)現  自動(dòng)  太陽(yáng)  COMS  圖像  傳感器  基于  

光致發(fā)光技術(shù)在檢測晶體Si太陽(yáng)電池缺陷的應用

  • 引言　　近年來(lái)，光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛，提高效率和降低成本成為整個(gè)行業(yè)的目標。在晶體Si太陽(yáng)電池的薄片化發(fā)展過(guò)程中，出現了許多嚴重的問(wèn)題，如碎片、電池片隱裂、表面污染、電極不良等，正是這些缺陷限制了電池的光電
  • 關(guān)鍵字： 電池  缺陷  應用  太陽(yáng)  Si  技術(shù)  檢測  晶體  發(fā)光  

基于單片機EM78247的光伏發(fā)電系統太陽(yáng)自動(dòng)跟蹤器

  • 摘要：由于太陽(yáng)位置隨時(shí)間而變化，使光伏發(fā)電系統的太陽(yáng)能電池陣列受光照強度不穩定，從而降低了光伏電池的效率,因此，設計太陽(yáng)自動(dòng)跟蹤器是提高光伏發(fā)電系統工作效率的有效措施。本文采用單片機EM78247為控制核心，
  • 關(guān)鍵字： 太陽(yáng)  自動(dòng)  跟蹤  系統  發(fā)電  單片機  EM78247  基于  

基于A(yíng)Tmega8的雙軸太陽(yáng)跟蹤器設計

  • 為提高太陽(yáng)能的利用率，以ATmega8單片機為控制核心，設計了一套光電跟蹤與視日運動(dòng)軌跡跟蹤互補控制的雙軸太陽(yáng)跟蹤器。該跟蹤器在晴天時(shí)，利用光敏電阻采集光強判斷太陽(yáng)位置，控制步進(jìn)電機實(shí)現光電跟蹤；在陰天時(shí)，采集時(shí)鐘器件PCF8583的時(shí)間信息，計算當前太陽(yáng)位置來(lái)實(shí)現視日運動(dòng)軌跡跟蹤。實(shí)驗表明：該太陽(yáng)跟蹤器能在不同天氣狀況下對太陽(yáng)進(jìn)行較準確地跟蹤，能量接收效率提高了30％，達到充分利用太陽(yáng)能的目的。
  • 關(guān)鍵字： 跟蹤  設計  太陽(yáng)  雙軸  ATmega8  基于  
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太陽(yáng)介紹

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