基于狀態(tài)空間法的非理想Boost電路開(kāi)環(huán)建模
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3 仿真及測試結果
選取Vg=12 V，L=330μH，C=47μF，RL=12 Ω開(kāi)關(guān)頻率300 kHz，實(shí)測rC=50．1 mΩ，rL=53．2 mΩ。采用SG3525芯片產(chǎn)生PWM脈沖驅動(dòng)MOSFET，占空比調節范圍0～50％。選取幾個(gè)典型占空比進(jìn)行仿真，仿真得到的輸出電壓波形如圖4和圖5所示。本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/176081.htm
在不同占空比下輸出電壓的對比關(guān)系如表1所示。
表1中U1為狀態(tài)空間法仿真輸出電壓值，U2為電路仿真輸出電壓有效值，U3為實(shí)測電壓有效值。
4 結語(yǔ)
本文應用狀態(tài)空間平均法對電流連續模式下的非理想Boost變換器進(jìn)行了開(kāi)環(huán)狀態(tài)下的建模和仿真。將開(kāi)關(guān)函數引入到狀態(tài)空間模型中，使變換器不同工作狀態(tài)下的狀態(tài)方程具有統一的形式，且使狀態(tài)方程的物理意義更加明確。從電路模型仿真和狀態(tài)空間法仿真結果可以發(fā)現，在滿(mǎn)足低頻假設，小紋波假設和小信號假設的前提下，應用狀態(tài)空間平均法的仿真結果與電路模型的仿真結果具有一致性，驗證了建模方法的正確性，對變換器的設計有一定指導意義。
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