功率MOSFET場(chǎng)效應管的特點(diǎn)

功率MOS場(chǎng)效應晶體管全稱(chēng)為金屬-氧化物-半導體場(chǎng)效應晶體管(PowerMetal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，簡(jiǎn)稱(chēng)功率MOSFET，它是一種電壓控制器件。根據載流子的性質(zhì)，MOSFET可分為N溝道和P溝道兩種類(lèi)型，圖形符號如圖所示。根據導電結構，MOSFET有垂直導電結構與橫向導電結構，而功率MOSFET幾乎都是由垂直導電結構組成的，這種晶體管稱(chēng)為VMOSFET。

(a)N溝道類(lèi)型：(b)P溝道類(lèi)型

圖 功率MOSFET的圖形符號

VMOSFET的主要特點(diǎn)：

(1)開(kāi)關(guān)速度非?？?。VMOSFET為多數載流子器件，不存在存貯效應，故開(kāi)關(guān)速度快，其一般低壓器件開(kāi)關(guān)時(shí)間為10ns數量級，高壓器件為100ns數量級，適擴合于做高頻功率開(kāi)關(guān)。

(2)高輸入阻抗和低電平驅動(dòng)。VM0S器件輸入阻抗通常10(7)Ω以上，直流驅動(dòng)電流為0.1μA數量級，故只要邏輯幅值超過(guò)VM0S的閾值電壓(3.5～4V)，則可由CM0S和LSTTL及標準TTL等器件直接驅動(dòng)，驅動(dòng)電路簡(jiǎn)單。

(3)安全工作區寬。VM0S器件無(wú)二次擊穿，安全工作區由器件的峰值電流、擊穿電壓的額定值和功率容量來(lái)決定，故工作安全，可靠性高。

(4)熱穩定性高。VMOS器件的最小導通電壓由導通電阻決定，其低壓器件的導通電阻很小，但且隨著(zhù)漏極-源極間電壓的增大而增加，即漏極電流有負的溫度系數，使管耗隨溫度的變化得到一定的自補償。

(5)易于并聯(lián)使用。VM0S器件可簡(jiǎn)單并聯(lián)，以增加其電流容量，而雙極型器件并聯(lián)使用需增設均流電阻、內部網(wǎng)絡(luò )匹配及其他額外的保護裝置。

(6)跨導高度線(xiàn)性。VM0S器件是一種短溝道器件，當UGS上升到一定值后，跨導基本為一恒定值，這就使其作為線(xiàn)性器件使用時(shí)，非線(xiàn)性失真大為減小。

(7)管內存在漏源二極管。VM0S器件內部漏極-源極之間寄生一個(gè)反向的漏源二極管，其正向開(kāi)關(guān)時(shí)間小于10ns，和快速恢復二極管類(lèi)似也有一個(gè)100ns數量級的反向恢復時(shí)間。該二極管在實(shí)際電路中可起鉗位和消振作用。

(8)注意防靜電破壞。盡管VM0S器件有很大的輸入電容，不像一般MOS器件那樣對靜電放電很敏感，但由于它的柵極-源極間最大額定電壓約為±20V，遠低于100～2500V的靜電電壓，因此，要注意采取防靜電措施，即運輸時(shí)器件應放于抗靜電包裝或導電的泡沫塑料中;拿取器件時(shí)要戴接地手鐲，最好在防靜電工作臺上操作;焊接要用接地電烙鐵;在柵極-源極間應接一只電阻使其保持低阻抗，必要時(shí)并聯(lián)穩壓值為20V的穩壓二極管加以保護。功率MOSFET與功率晶體管不同之處如下表所示。

高頻工作的MOSFET已成為開(kāi)關(guān)電源中的關(guān)鍵器件，目前MOSFET正以20%的年增長(cháng)率高速增長(cháng)?，F在，市場(chǎng)上銷(xiāo)售的開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品里，采用雙極型晶體管的開(kāi)關(guān)電源的開(kāi)關(guān)頻率僅為30～3000kHz，采用功率MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率可達到500kHz左右。