工業(yè)和信息化部發(fā)布《光伏制造行業(yè)規范條件》

　　中華人民共和國工業(yè)和信息化部公告(2013年第47號)為進(jìn)一步加強光伏制造行業(yè)管理，規范產(chǎn)業(yè)發(fā)展秩序，提高行業(yè)發(fā)展水平，加快推進(jìn)光伏產(chǎn)業(yè)轉型升級，根據《國務(wù)院關(guān)于促進(jìn)光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的若干意見(jiàn)》(國發(fā)[2013]24號)，經(jīng)商有關(guān)部門(mén)，制定《光伏制造行業(yè)規范條件》，現予以公告。

　　工業(yè)和信息化部

　　2013年9月16日

　　為深入貫徹落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀(guān)，引導光伏制造行業(yè)加快轉型升級，推動(dòng)我國光伏產(chǎn)業(yè)持續健康發(fā)展，根據《國務(wù)院關(guān)于促進(jìn)光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的若干意見(jiàn)》(國發(fā)[2013]24號)和國家有關(guān)法律法規及產(chǎn)業(yè)政策，按照優(yōu)化布局、調整結構、控制總量、鼓勵創(chuàng )新、支持應用的原則，制定本規范條件。

　　光伏制造行業(yè)規范條件

　　一、生產(chǎn)布局與項目設立

　　(一)光伏制造企業(yè)及項目應符合國家資源開(kāi)發(fā)利用、環(huán)境保護、節能管理等法律法規要求，符合國家產(chǎn)業(yè)政策和相關(guān)產(chǎn)業(yè)規劃及布局要求，符合當地土地利用總體規劃、城市總體規劃、環(huán)境功能區劃和環(huán)境保護規劃等要求。

　　(二)在國家法律法規、規章及規劃確定或省級以上人民政府批準的基本農田保護區、飲用水水源保護區、自然保護區、風(fēng)景名勝區、重要生態(tài)功能保護區和生態(tài)環(huán)境敏感區、脆弱區等法律、法規規定禁止建設工業(yè)企業(yè)的區域不得建設光伏制造項目。上述區域內的現有企業(yè)應逐步遷出。

　　(三)嚴格控制新上單純擴大產(chǎn)能的光伏制造項目。對加強技術(shù)創(chuàng )新、降低生產(chǎn)成本等確有必要的新建和改擴建項目，報行業(yè)主管部門(mén)及投資主管部門(mén)備案。新建和改擴建光伏制造項目，最低資本金比例為20%。

　　二、生產(chǎn)規模和工藝技術(shù)

　　(一)光伏制造企業(yè)應采用工藝先進(jìn)、節能環(huán)保、產(chǎn)品質(zhì)量好、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)技術(shù)和設備。

　　(二)光伏制造企業(yè)應具備以下條件：在中華人民共和國境內依法注冊成立，具有獨立法人資格;具有太陽(yáng)能光伏產(chǎn)品獨立生產(chǎn)、供應和售后服務(wù)能力;具有省級以上獨立研發(fā)機構、技術(shù)中心或高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì)，每年用于研發(fā)及工藝改進(jìn)的費用不低于總銷(xiāo)售額的3%且不少于1000萬(wàn)元人民幣;申報符合規范名單時(shí)上一年實(shí)際產(chǎn)量不低于本條第(三)款產(chǎn)能要求的50%。

　　(三)光伏制造企業(yè)按產(chǎn)品類(lèi)型應分別滿(mǎn)足以下要求：

　　1.多晶硅項目每期規模大于3000噸/年;

　　2.硅錠年產(chǎn)能不低于1000噸;

　　3.硅棒年產(chǎn)能不低于1000噸;

　　4.硅片年產(chǎn)能不低于5000萬(wàn)片;

　　5.晶硅電池年產(chǎn)能不低于200MWp;

　　6.晶硅電池組件年產(chǎn)能不低于200MWp;

　　7.薄膜電池組件年產(chǎn)能不低于50MWp。

　　(四)現有光伏制造企業(yè)及項目產(chǎn)品應滿(mǎn)足以下要求：

　　1.多晶硅滿(mǎn)足《太陽(yáng)能級多晶硅》(GB/T25074)1級品的要求;

　　2.多晶硅片(含準單晶硅片)少子壽命大于2μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于16和18PPMA;單晶硅片少子壽命大于10μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于10和18PPMA;

　　3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低于16%和17%;

　　4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件的光電轉換效率分別不低于14.5%和15.5%;

　　5.硅基、銅銦鎵硒(CIGS)、碲化鎘(CdTe)及其他薄膜電池組件的光電轉換效率分別不低于8%、10%、11%、10%。

　　(五)新建和改擴建企業(yè)及項目產(chǎn)品應滿(mǎn)足以下要求：

　　1.多晶硅滿(mǎn)足《硅多晶》(GB/T12963)2級品以上要求;

　　2.多晶硅片(含準單晶硅片)少子壽命大于2.5μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于8和6PPMA;單晶硅片少子壽命大于11μs，電阻率在1-3Ω.cm，碳、氧含量分別小于8和6PPMA;

　　3.多晶硅電池和單晶硅電池的光電轉換效率分別不低于18%和20%;

　　4.多晶硅電池組件和單晶硅電池組件光電轉換效率分別不低于16.5%和17.5%;

　　5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜電池組件的光電轉換效率分別不低于12%、12%、13%、12%。

　　(六)多晶硅電池組件和單晶硅電池組件衰減率在2年內分別不高于3.2%和4.2%，25年內不高于20%;薄膜電池組件衰減率在2年內不高于5%，25年內不高于20%。

　　三、資源綜合利用及能耗

　　(一)光伏制造企業(yè)和項目用地應符合國家已出臺的土地使用標準，嚴格保護耕地，節約集約用地。

　　(二)光伏制造項目能耗應滿(mǎn)足以下要求：

　　1.現有多晶硅項目還原電耗小于80千瓦時(shí)/千克，綜合電耗小于140千瓦時(shí)/千克;新建和改擴建項目還原電耗小于60千瓦時(shí)/千克，綜合電耗小于100千瓦時(shí)/千克;

　　2.現有硅錠項目平均綜合能耗小于9千瓦時(shí)/千克，新建和改擴建項目小于7千瓦時(shí)/千克;如采用多晶鑄錠爐生產(chǎn)準單晶或高效多晶產(chǎn)品，項目平均綜合能耗的增加幅度不得超過(guò)0.5千瓦時(shí)/千克;

　　3.現有硅棒項目平均綜合能耗小于50千瓦時(shí)/千克，新建和改擴建項目小于45千瓦時(shí)/千克;

　　4.現有多晶硅片項目平均綜合能耗小于60萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片，新建和改擴建項目小于55萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片;現有單晶硅片項目平均綜合能耗小于40萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片，新建和改擴建項目小于35萬(wàn)千瓦時(shí)/百萬(wàn)片;

　　5.電池項目平均綜合能耗小于15萬(wàn)千瓦時(shí)/MWp;

　　6.晶硅電池組件項目平均綜合能耗小于8萬(wàn)千瓦時(shí)/MWp;薄膜電池組件項目平均能耗小于50萬(wàn)千瓦時(shí)/MWp。

　　(三)光伏制造項目生產(chǎn)水耗應滿(mǎn)足以下要求：

　　1.多晶硅項目水循環(huán)利用率不低于95%;

　　2.硅片項目水耗低于1400噸/百萬(wàn)片;

　　3.電池項目水耗低于1700噸/MWp。

　　(四)其他生產(chǎn)單耗需滿(mǎn)足國家相關(guān)標準。

　　四、環(huán)境保護

　　(一)新建和改擴建光伏制造項目應嚴格執行環(huán)境影響評價(jià)制度，未通過(guò)環(huán)境影響評價(jià)審批的項目不得開(kāi)工建設。按照環(huán)境保護“三同時(shí)”要求，項目配套建設環(huán)境保護設施應依法申請項目竣工環(huán)境保護驗收，驗收合格后方可投入生產(chǎn)運行。企業(yè)應有健全的企業(yè)環(huán)境管理機構，制定有效的企業(yè)環(huán)境管理制度，定期開(kāi)展清潔生產(chǎn)審核。

　　(二)廢氣、廢水排放應符合國家和地方大氣及水污染物排放標準和總量控制要求;惡臭污染物排放應符合《惡臭污染物排放標準》(GB14554)，對產(chǎn)生的工業(yè)固體廢物要依法貯存、處置或綜合利用，應符合《危險廢物貯存污染控制標準》(GB18597)和《一般工業(yè)固體廢物貯存、處置場(chǎng)污染控制標準》(GB18559)相關(guān)要求，SiCl4等危險廢物應委托具備相應處理能力的有資質(zhì)單位進(jìn)行妥善處置;廠(chǎng)界噪聲符合《工業(yè)企業(yè)廠(chǎng)界環(huán)境噪聲排放標準》(GB12348)。

　　(三)鼓勵企業(yè)通過(guò)ISO14001環(huán)境管理體系認證、ISO14064溫室氣體核證、PAS2050/ISO14067碳足跡認證。

　　(四)光伏制造項目應按照環(huán)境影響報告書(shū)(表)及其批復、國家或地方污染物排放(控制)標準、環(huán)境監測技術(shù)規范的要求，制定自行監測方案，開(kāi)展自行監測工作，公開(kāi)自行監測信息。

　　五、質(zhì)量管理

　　(一)光伏制造企業(yè)應建立完善的質(zhì)量管理體系，配備質(zhì)量檢驗機構和專(zhuān)職檢驗人員。電池及電池組件生產(chǎn)企業(yè)應配備AAA級太陽(yáng)模擬器、高低溫環(huán)境試驗箱等關(guān)鍵檢測設備，鼓勵企業(yè)建設具備CNAS認可資質(zhì)的實(shí)驗室。

　　(二)光伏產(chǎn)品質(zhì)量應符合國家相關(guān)標準，通過(guò)國家批準相關(guān)認證機構的認證。

　　(三)企業(yè)應通過(guò)ISO9001質(zhì)量管理體系認證，組件使用壽命不低于25年，質(zhì)保期不少于10年。

　　(四)企業(yè)應建立相應的產(chǎn)品可追溯制度。

　　六、安全、衛生和社會(huì )責任

　　(一)光伏制造項目應當嚴格遵循職業(yè)病危害防護設施和安全設施“三同時(shí)”制度要求。企業(yè)應當遵守《安全生產(chǎn)法》、《職業(yè)病防治法》等法律法規，執行保障安全生產(chǎn)的國家標準或行業(yè)標準，在申報規范名單當年及上一年度未發(fā)生較大及以上生產(chǎn)安全事故。

　　(二)企業(yè)應當建立健全安全生產(chǎn)責任制，加強職工安全生產(chǎn)教育培訓和隱患排查治理工作，開(kāi)展安全生產(chǎn)標準化建設并達到三級以上。

　　(三)企業(yè)應當依法落實(shí)職業(yè)病危害防治措施，對重大危險源有檢測、評估、監控措施和應急預案，并配備必要的器材和設備。

　　(四)企業(yè)應當遵守國家相關(guān)法律法規，依法參加養老、失業(yè)、醫療、工傷等各類(lèi)保險，并為從業(yè)人員足額繳納相關(guān)保險費用。

　　七、監督與管理

　　(一)新建和改擴建光伏制造企業(yè)及項目應當符合本規范條件要求。

　　(二)現有光伏制造企業(yè)及項目應當符合本規范條件要求，未滿(mǎn)足規范條件要求的企業(yè)及項目根據產(chǎn)業(yè)轉型升級的要求，在國家產(chǎn)業(yè)政策的指導下，通過(guò)兼并重組、技術(shù)改造等方式，盡快達到本規范條件的要求。

　　(三)對光伏制造企業(yè)及項目的投資、土地供應、環(huán)評、節能評估、質(zhì)量監督、安全監管、信貸授信等管理應依據本規范條件。不符合本規范條件的企業(yè)及項目，其產(chǎn)品不得享受出口退稅、國內應用扶持等政策支持。

　　(四)光伏制造企業(yè)應對照規范條件編制相關(guān)申報材料，通過(guò)省級工業(yè)和信息化主管部門(mén)報送工業(yè)和信息化部。各級工業(yè)和信息化主管部門(mén)會(huì )同有關(guān)部門(mén)對當地光伏制造企業(yè)執行本規范條件的情況進(jìn)行監督檢查。工業(yè)和信息化部組織行業(yè)機構、檢測機構對企業(yè)進(jìn)行檢查，定期公告符合本規范條件的企業(yè)名單，并會(huì )同有關(guān)部門(mén)組織行業(yè)機構、檢測機構從市場(chǎng)上對已公告企業(yè)產(chǎn)品等進(jìn)行抽查，實(shí)行社會(huì )監督、動(dòng)態(tài)管理。

　　(五)公告企業(yè)有下列情況，將撤銷(xiāo)其公告資格：

　　1.填報資料有弄虛作假行為;

　　2.拒絕接受監督檢查;

　　3.不能保持規范條件要求;

　　4.發(fā)生重大安全和污染責任事故;

　　5.違反法律、法規和國家產(chǎn)業(yè)政策規定。

　　(六)有關(guān)行業(yè)協(xié)會(huì )、產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟、檢測機構要協(xié)助行業(yè)主管部門(mén)做好本規范條件的實(shí)施和跟蹤監督工作，組織企業(yè)加強協(xié)調和自律管理。

　　八、附則

　　(一)本規范條件適用于中華人民共和國境內(臺灣、香港、澳門(mén)地區除外)所有類(lèi)型的光伏制造企業(yè)，本規范條件所指的光伏制造行業(yè)主要為光伏用多晶硅、硅棒、硅錠、硅片、電池、電池組件等制造行業(yè)。

　　(二)本規范條件涉及的法律法規、國家標準和行業(yè)政策若進(jìn)行修訂，按修訂后的規定執行。

　　(三)本規范條件自發(fā)布之日起30日后實(shí)施，由工業(yè)和信息化部負責解釋?zhuān)⒏鶕袠I(yè)發(fā)展情況和宏觀(guān)調控要求會(huì )同有關(guān)部門(mén)適時(shí)進(jìn)行修訂。原《多晶硅行業(yè)準入條件》(工聯(lián)電子[2010]第137號)同時(shí)廢止。