一種用于側光式WLED TV背光應用的功率解決方案

電感和電容的設計是獲得快速瞬態(tài)響應性能，以及在led背光應用中實(shí)現纖薄設計的關(guān)鍵因素之一。由于電感是能量?jì)Υ嫫骷?，故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外，為了獲得較低的紋波電流，建議采用較高的電感值。電感值可通過(guò)下面的方程式4)計算得出：

　　這里，fs為開(kāi)關(guān)頻率，VOUT為輸出電壓，VIN為輸入電源電壓，ΔIL為電感紋波電流。
輸出電容影響輸出電壓紋波，而較小的輸出電壓紋波可降低水波紋干擾(waterfall noise)。一般而言，輸出電容值越大，輸出紋波電壓就越小。輸出紋波ΔVOUT的計算公式如下所示：

　　這里，COUT是輸出電容，ESR是輸出端的等效串聯(lián)阻抗。

飛兆半導體的功率解決方案

　　電源設計的發(fā)展趨勢主要是通過(guò)降低損耗來(lái)提高效率。電源系統要想獲得高效率，選擇具有低導通阻抗(RDS(ON))和柵極電荷(Qg)特性的開(kāi)關(guān)器件十分重要。飛兆半導體在中壓MOSFET(BVDSS:100 ~ 200V)中引入了新的溝槽技術(shù)，使其具有較低的柵極電荷特性和出色的額定導通阻抗，從而能夠降低開(kāi)關(guān)損耗與導通損耗。特別是在應用中，控制MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗是提高效率的關(guān)鍵所在，因為MOSFET工作在硬開(kāi)關(guān)條件下。飛兆半導體新推出的溝槽技術(shù)MOSFET，具有更低的柵極電荷與導通阻抗，針對升壓轉換器進(jìn)行了充分優(yōu)化。表2顯示了采用FDD86102與采用同類(lèi)傳統MOSFET的比較結果。

　　由于柵漏電容(米勒電容)的減小，FDD86102的總柵極電荷相比傳統器件減少了40%。在高頻應用中，柵極電荷減少的一個(gè)好處是降低了開(kāi)關(guān)損耗，從而提高了高頻應用的效率。