一種滯環(huán)恒流LED驅動(dòng)電路的電流采樣電路
由于Vin>Vcsn導致I1與I2不相等。采樣電流Is即為這部分“多余”電流,大小為

式(1)中,實(shí)際流過(guò)Rsense的電流為IL+I2。因為I2的大小低于電感電流的10-4倍,其影響可以忽略不計。
圖4為實(shí)際電路圖。Vin與Vcsn為精確采樣電阻Rcsn兩端電壓,輸入范圍8~40 V;Vcc為芯片內部5 V穩定電源。本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/168406.htm
在實(shí)際電路中,VA對VB的匹配度直接影響采樣精度。圖3為簡(jiǎn)化的小信號模型。
應用KCL定理,得到
由式(6)可以看出,當gm1ro2或gm2越大,VA與VB的匹配度越高,電流采樣越精確。值得注意的是,式中出現gm1ro3的平方項,這意味著(zhù)可以用較小的增益達到高精度。但是,耐壓5 V的低壓管無(wú)法在高輸入電壓下正常工作,電路中必須使用大量耐壓40 V的高壓管。然而高壓管的增益與等效輸出電阻很低,無(wú)法滿(mǎn)足電流采樣電路的精度要求。
為使低壓管能在高壓輸入中也正常工作,電壓鏡采用了高低壓器件混用的共源共柵結構。Mp1、Mp2、Mn1和Mn2為低壓管;Mp3、Mp4、Mn3和Mn4為高壓管。一方面,高壓管作為共源共柵器件增大了輸出電阻;另一方面,它承受了大部分壓降,以保護低壓管不被擊穿。不過(guò),共源共柵結構帶來(lái)另一個(gè)問(wèn)題。串聯(lián)電阻R2令Mp2和Mp4之間的次極點(diǎn)更靠近原點(diǎn),使系統變得不穩定。為消除該極點(diǎn)帶來(lái)的影響,在共源共柵結構的輸出端加入補償電阻R5和電容C,引入一個(gè)零點(diǎn)并使主極點(diǎn)更低。
高壓管Mp5~Mp10為匹配電流源的輸出級,主要起隔離緩沖的作用,電流鏡結構避免了增加新的極點(diǎn)。分流結構Mp7、Mp8將Mp5始終偏置在飽和區,從而允許流過(guò)Mp9與Mp10的電流最低降至0 A,使電路在空載時(shí)可以輸出地電壓,為芯片的進(jìn)一步設計提供了方便。
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