一種滯環(huán)恒流LED驅動(dòng)電路的電流采樣電路

摘要 針對滯環(huán)恒流大功率LED驅動(dòng)芯片，提出一款高性能電流采樣電路。該電路采用高壓工藝，可承受最高達40 V的輸入電壓。通過(guò)分析滯環(huán)控制的特點(diǎn)，采用串聯(lián)電阻采樣技術(shù)，結合匹配電流源結構，在保證響應速度和采樣精度的同時(shí)，降低了電路的復雜度。電路中加入輸入電壓補償電路，進(jìn)一步提高了恒流控制的精度。在Cadence下的仿真結果表明，電路可在800 kHz的頻率下正常工作，采樣精度達99．78％；當電壓從15V變化至35V時(shí)平均負載電流誤差為0．81％；輸出電壓范圍為0～5V。
關(guān)鍵詞 恒流控制；高壓工藝；匹配電流源；電壓補償

當今照明領(lǐng)域，LED憑借其壽命長(cháng)、功耗低、無(wú)污染等優(yōu)點(diǎn)成為未來(lái)發(fā)展趨勢。然而，要針對不同的應用場(chǎng)合，分別設計一個(gè)獨特的芯片，目前情況是不可行的。因此，能夠使電源與負載相互獨立的電源管理芯片被廣泛應用。在這些芯片中，無(wú)論是電壓還是電流控制模式，都會(huì )通過(guò)檢測電感電流進(jìn)行過(guò)流保護。在電流模式中，采樣電流還被用作環(huán)路控制。
提出的電流采樣技術(shù)用于一種滯環(huán)恒流控制大功率LED驅動(dòng)電路中，除具有環(huán)路控制與過(guò)流保護的功能外，還具有電壓補償的功能及結構簡(jiǎn)單的特點(diǎn)。

1 采樣方式的分析與選擇
1．1 現有采樣技術(shù)
表1中列出了現有的幾種電流檢測技術(shù)并列舉了其優(yōu)缺點(diǎn)。文獻對其進(jìn)行了詳細介紹。

1．2 滯環(huán)控制原理分析
圖1是滯環(huán)控制電路框圖。LED驅動(dòng)電流的變化反映在Rsense兩端的壓差變化上。滯環(huán)電流控制模塊內設兩個(gè)電流閾值Imax和Imin，當電路接上電源時(shí)，功率管打開(kāi)，電源通過(guò)Rsense、負載LED向電感L充電，驅動(dòng)電流上升。當電流>Imax時(shí)，控制電路輸出低電平關(guān)閉功率開(kāi)關(guān)管。此時(shí)電感通過(guò)負載LED、Rsense和肖特基二極管放電，電流下降。當驅動(dòng)電流Imin時(shí)，控制電路輸出高電平打開(kāi)功率開(kāi)關(guān)管，重復上一個(gè)周期的動(dòng)作。通過(guò)這種方式控制電路將驅動(dòng)電流限制在Imax與Imin之間周期性變化，使流過(guò)LED的平均驅動(dòng)電流值恒定。

可以看到，滯環(huán)控制電路使用的是串聯(lián)電阻采樣技術(shù)。從表1可知，串聯(lián)電阻技術(shù)的功耗很大，同樣具有高精度且無(wú)損耗的Sensfet似乎更勝一籌。不過(guò)，Sensfet技術(shù)只能檢測功率管打開(kāi)時(shí)的電流變化情況，而無(wú)法檢測功率管關(guān)斷期間的電流變化。因此無(wú)法在需要始終對電流進(jìn)行采樣檢測的滯環(huán)控制電路中使用。同時(shí)，由于輸入電壓較高，串聯(lián)電阻所消耗的功率在整個(gè)電路功率中所占比例也降低了。

2 電路設計
圖2是電路采樣電路結構圖。Rsense為采樣電阻，R1=R2=R；Mp1、Mp2、Mn1、Mn2組成的電壓鏡和Mp9反饋管組成匹配電流源作為電流檢測電路。其中Mp1與Mp2相互匹配并被偏置在飽和區，Mn1與Mn2是兩個(gè)相同且非常小的電流源，以保證流過(guò)Mp1與Mp2的電流相等從而使其具有相等的VSG。