基于單片機的LED顯示屏硬件設計方案

摘要： 設計使用宏晶科技的8 位單片機STC12C5A60S2 作為中央控制器， 結合NAND 閃存芯片K9F4008 存儲漢字庫的8×128 點(diǎn)陣LED 數字屏， 該點(diǎn)陣LED 數字屏具有存儲信息后離線(xiàn)顯示的功能?？蓱玫蕉喾N顯示環(huán)境，尤其像汽車(chē)等移動(dòng)工具上的脫機顯示環(huán)境。

自上世紀90 年代以來(lái)， 隨著(zhù)LED 顯示技術(shù)設計制造水平的不斷提高，LED 數字屏逐漸在生產(chǎn)和生活中大量使用，LED 數字屏以其特有的顯示介質(zhì)， 在大面積， 全天候， 高亮度和超高亮度顯示屏領(lǐng)域凸現優(yōu)勢。LED 顯示技術(shù)發(fā)展的十幾年中， 新器件和新技術(shù)不斷采用， 制造成本逐漸降低， 生產(chǎn)分工不斷細化， 但大量應用的同時(shí)也暴露出LED 顯示技術(shù)的若干缺陷， 總體上技術(shù)尚未成熟， 標準尚未完全建立， 有許多方面值得進(jìn)行更深入的研究與改進(jìn)。

隨著(zhù)大規模集成電路的迅猛發(fā)展， 微處理器的運算、控制能力大大增加， 單片計算機已在很多工業(yè)及民用系統中承擔智能化的任務(wù)， 與迅猛發(fā)展的運算速度相比， 其端口擴展能力則遜色得多（ 數目有限且擴展困難）， 因此研發(fā)過(guò)程中不得不在節省端口上投入大量精力， 目前國內為解決端口擴展問(wèn)題可采用軟件處理的方式，這樣加重了軟件編寫(xiě)的難度，或采用擴展端口的專(zhuān)用芯片。這兩種方法將引起軟件成本的提高或硬件電路復雜度的提高，不利于一些小型系統的研發(fā)，STC12C5A60S2單片機具有多種串行傳輸模式， 在一定程度上解決了這個(gè)矛盾。

LED 數字屏應用非常廣泛， 不僅能顯示文字， 還能顯示各種圖形、圖表， 甚至各種動(dòng)畫(huà)效果， 是廣告宣傳、新聞傳播的有力工具。

本文采用STC12C5A60S2 單片機、接口NAND 閃存和上位PC 機，實(shí)現了對16×128 點(diǎn)陣LED 數字屏的控制。

1 芯片選型

1.1 屏體

由于屏體是商業(yè)成品， 因此系統芯片的選型首選為能與屏體配合的芯片。屏體自備電源， 能直接將蓄電池的能量轉變?yōu)? V 的直流電源， 并且這個(gè)電源也通過(guò)屏體的接口電纜輸出到系統板上。因此系統可直接引用該電源， 不必自備電源電路。

1.2 單片機

綜合考慮屏體和系統需求， 選用國內宏晶科技生產(chǎn)的單時(shí)鐘/機器周期（1T） 的單片機STC12C5A60S2。

STC12C5A60S2 是新一代高速8051 單片機， 其指令代碼完全兼容傳統8051, 但速度快8~12 倍。內部集成MAX810 專(zhuān)用復位電路， 其工作電壓范圍是3.5 V~5.5 V,滿(mǎn)足要求的電壓。由于是單周期的8051 （ 傳統8051 是12 周期）， 可選擇較易于獲得準確波特率的11.059 2 MHz晶振， 而不必擔心工作速度降低。

STC12C5A60S2 有60 KB 的用戶(hù)應用程序空間，256 B的RAM 和1024 B 的XRAM.能滿(mǎn)足程序代碼的需求和緩沖區定義的需求。另有與程序存儲空間獨立的一片閃存區域， 可在應用編程中作EEPROM 使用。

STC12C5A60S2 有雙UART 以及ISP 串口， 串口資源足夠系統使用。另外通過(guò)宏晶科技提供的軟件， 使用UART 可很容易地實(shí)現程序下載。STC12C5A60S2 有36個(gè)通用I/O 口， 大部分可位控， 并具有強推挽輸出的能力， 足夠系統使用。

STC12C5A60S2 有4 個(gè)16 bit 定時(shí)器和一個(gè)獨立的波特率發(fā)生器， 另外還有兩個(gè)PCA 模塊， 能獲得豐富的定時(shí)器資源。STC12C5A60S2 有PDIP-40 封裝的芯片， 易于快速進(jìn)入實(shí)驗。

1.3 閃存

因為16 ×16 點(diǎn)陣的漢字庫容量在250 KB 左右， 而MCS51 的尋址空間只有64 KB.接口大于64 KB 容量的普通存儲芯片就必須進(jìn)行總線(xiàn)擴展， 采用兩次鎖存地址的方法來(lái)讀寫(xiě)， 既需要復雜的電路， 又占用較長(cháng)的存取時(shí)間。同樣，NOR 閃存與EPROM 的引腳結構相類(lèi)似， 有同樣的接口復雜性， 成本也十分高。要實(shí)現單片機與字庫芯片的簡(jiǎn)單接口（ 不需擴展） , 只能選用串行結構的存儲器或命令、地址和數據復用總線(xiàn)結構的存儲器。

串行結構的存儲器多為EEPROM, 沒(méi)有很大的容量， 不適合做字庫芯片。因此只有選用命令、地址和數據復用總線(xiàn)的NAND 閃存作為字庫存儲芯片。

字庫所需的容量不大， 但最好能5 V 供電， 且編程的緩存要求較小的芯片。SAMSUNG 公司出品的K9F4008W 是一款512 KB 的NAND 閃存， 僅有8 個(gè)IO端口， 且工作電壓范圍較廣（3 V~5.5 V）， 可以兼容3 V 和5 V 的硬件系統， 并且幀編程時(shí)僅需要32 B 的緩沖， 正適合作為字庫存儲的芯片。

因此， 閃存芯片的可電擦寫(xiě)特性頁(yè)非常適用于需要更換字庫的場(chǎng)合。故該芯片是十分理想的漢字庫存儲器。

2 電路設計

根據系統整體結構設計的電路的原理圖如圖1 所示。