基于單片機的LED顯示屏硬件設計方案
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否則將要發(fā)送的信息發(fā)送并清零發(fā)送結束標記。這樣設計的發(fā)送程序， 其目的是將發(fā)送等待不限制在接口底層， 而是給上層一個(gè)決定是否等待發(fā)送結束的機會(huì )。
u8 uart_put_c（u8 ch）{
if（！ TI）return 1;
TI = 0;SBUF = ch; return 0;
}
同樣， 接收程序也給上層一個(gè)選擇等待的機會(huì )。接收函數首先判斷接收FIFO 是否為空， 如果為空或輸入指針參數錯誤， 則直接返回錯誤， 否則才從FIFO 中讀取數據并將數據存儲到指針指向的地址， 然后返回成功。
u8 uart_get_c（u8 *ch）{
u8 i;
if（！ ch）return 1;
if（（i = （uart_rd+1）0x0f） == uart_wr）return 1;
uart_rd = i; *ch = uart_buf[i];return 0;
}
3.3 閃存接口
閃存的存取有特殊的時(shí)序， 閃存的內部結構也和具體應用要求有很大的不同。因此閃存的接口需要仔細設計。
K9F4008 閃存芯片的存儲結構組織如圖2所示。
K9F4008 閃存的存儲以塊為單位， 每個(gè)芯片共有128 塊。每塊有32 行， 每行有4 個(gè)幀， 每幀含有32 B.全部芯片為512 KB。
閃存接口提供的閃存初始化函數中就包括對這樣情況的處理。初始化函數要從閃存的第一個(gè)塊中讀出一個(gè)塊映射表， 該表下標是邏輯扇區， 表內每項存儲的是該邏輯扇區對應的物理塊編號。初始化函數在必要時(shí)對閃存進(jìn)行讀寫(xiě)校驗， 然后將壞塊從表中刪除。再尋找新的良好塊， 將其編號填入到對應邏輯扇區的表項中。這樣對應用來(lái)說(shuō)， 只見(jiàn)到連續的扇區編號， 而不知道扇區究竟對應到那個(gè)塊。
閃存的接口頭文件Flash.h 如下：
#ifndef _K9F4008_H_
#define _K9F4008_H_
void read_log_page（u8 sector,u8 page,u8 xdata *buf）；
u8 prog_log_page（u8 sector,u8 page,u8 xdata *buf）；
void erase_log_blk（u8 sector）；
bit flash_init（void）；
#endif
實(shí)現閃存的接口， 首先就是依據說(shuō)明書(shū)的時(shí)序定義閃存的基本操作。這里是以宏定義實(shí)現基本操作的。
#define W_CMD（cmd_）
bCLE=1; bWE=0; P2=（cmd_）； bWE=1; bCLE=0
#define W_ADDR（addr1_,addr2_,addr3_）
bALE=1; bWE=0; P2=（addr1_）； bWE=1;
bWE=0; P2=（addr2_）； bWE=1;
bWE=0; P2=（addr3_）； bWE=1;
bALE=0
#define W_DAT（dat_） bWE=0; P2=（dat_）； bWE=1
#define wait_RB while（！ bRB）
#define l2p（x_） fat_tbl[（x_）]
3.4 EEPROM
內部集成的EEPROM 是與程序空間分開(kāi)的， 利用ISP/IAP 技術(shù)可將內部DATAFLASH 當EEPROM,擦寫(xiě)次數10 萬(wàn)次以上。EEPROM 可分為若干個(gè)扇區， 每個(gè)扇區包含512 B.使用時(shí)， 建議同一次修改的數據放在同一個(gè)扇區， 不是同一次修改的數據放在不同的扇區， 不一定要用滿(mǎn)。數據存儲器的擦除操作是按扇區進(jìn)行的。
sfr IAP_DATA = 0xC2; //Flash data register
sfr IAP_ADDRH = 0xC3; //Flash address HIGH
sfr IAP_ADDRL = 0xC4; //Flash address LOW
sfr IAP_CMD = 0xC5; //Flash command register
sfr IAP_TRIG = 0xC6; //Flash command trigger
sfr IAP_CONTR = 0xC7; //Flash control register
根據使用說(shuō)明對EEPROM 的寄存器進(jìn)行定義。
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