簡(jiǎn)單介紹光電探測器的應用及其工作原理

光電探測器是一種能夠將光輻射轉換成電量的一個(gè)器件，它利用這個(gè)特性可以進(jìn)行顯示及控制的功能。光探測器可以代替人眼，而且由于具有光譜響應范圍寬的特點(diǎn)，光探測器亦是人眼的一個(gè)延伸。光電探測器利用被照射材料由于輻射的關(guān)系電導率發(fā)生改變的物理特點(diǎn)，它的用途比較廣泛，主要應用在軍事及國名經(jīng)濟的各個(gè)領(lǐng)域上。光電探測器的應用有哪些？光電探測器在紅外波段中的應用主要在紅外熱成像、導彈制造及紅外遙感等一些方面;在可見(jiàn)光或近紅外波段中的應用主要在在工業(yè)自動(dòng)控制、光度計量及射線(xiàn)測量和探測等方面。那么究竟光電探測器的應用有哪些？接下來(lái)小編將會(huì )為您詳細的介紹這方面的知識，相信一定會(huì )幫助您更好的了解相關(guān)知識。

光電探測器，從其字面意思來(lái)看，相信大家都能猜到，這種探測器能夠將光信號轉化為電信號。光電探測器的分類(lèi)有好多種，根據器件工作原理的不同或者根據器件對輻射響應方式的不同，光電探測器一般分為兩大類(lèi)，一種是熱探測器，還有一種是光子探測器。

光電探測器的工作原理

光電探測器的工作原理是基于光電效應，熱探測器基于材料吸收了光輻射能量后溫度升高，從而改變了它的電學(xué)性能，它區別于光子探測器的最大特點(diǎn)是對光輻射的波長(cháng)無(wú)選擇性。

光電導器件：利用具有光電導效應的半導體材料做成的光電探測器稱(chēng)為光電導器件，通常叫做光敏電阻。在可見(jiàn)光波段和大氣透過(guò)的幾個(gè)窗口，即近紅外、中紅外和遠紅外波段，都有適用的光敏電阻。光敏電阻被廣泛地用于光電自動(dòng)探測系統、光電跟蹤系統、導彈制導、紅外光譜系統等。

光電子發(fā)射器件：光電管與光電倍增管是典型的光電子發(fā)射型(外光電效應)探測器件。其主要特點(diǎn)是靈敏度高，穩定性好，響應速度快和噪聲小，是一種電流放大器件。尤其是光電倍增管具有很高的電流增益，特別適于探測微弱光信號;但它結構復雜，工作電壓高，體積較大。光電倍增管一般用于測弱輻射而且響應速度要求較高的場(chǎng)合，如人造衛星的激光測距儀、光雷達等。

硫化鎘CdS和硒化鎘CdSe光敏電阻是可見(jiàn)光波段用得最多的兩種光敏電阻;硫化鉛PbS光敏電阻是工作于大氣第一個(gè)紅外透過(guò)窗口的主要光敏電阻，室溫工作的PbS光敏電阻響應波長(cháng)范圍1。0～3。5微米，峰值響應波長(cháng)2。4微米左右;銻化銦InSb光敏電阻主要用于探測大氣第二個(gè)紅外透過(guò)窗口，其響應波長(cháng)3～5μm;碲鎘汞器件的光譜響應在8～14微米，其峰值波長(cháng)為10。6微米，與CO2激光器的激光波長(cháng)相匹配，用于探測大氣第三個(gè)窗口(8～14微米)°

光電探測器的應用

photoconductivedetector利用半導體材料的光電導效應制成的一種光探測器件。所謂光電導效應，是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現象。光電導探測器在軍事和國民經(jīng)濟的各個(gè)領(lǐng)域有廣泛用途。在可見(jiàn)光或近紅外波段主要用于射線(xiàn)測量和探測、工業(yè)自動(dòng)控制、光度計量等;在紅外波段主要用于導彈制導、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導體的另一應用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴散引起圖像模糊，連續薄膜靶面都用高阻多晶材料，如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法，整個(gè)靶面由約10萬(wàn)個(gè)單獨探測器組成。

1873年，英國W。史密斯發(fā)現硒的光電導效應，但是這種效應長(cháng)期處于探索研究階段，未獲實(shí)際應用。第二次世界大戰以后，隨著(zhù)半導體的發(fā)展，各種新的光電導材料不斷出現。在可見(jiàn)光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。

60年代初，中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge：Au(鍺摻金)和Ge：Hg光電導探測器。60年代末以后，HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進(jìn)展。工作原理和特性光電導效應是內光電效應的一種。

當照射的光子能量hv等于或大于半導體的禁帶寬度Eg時(shí)，光子能夠將價(jià)帶中的電子激發(fā)到導帶，從而產(chǎn)生導電的電子、空穴對，這就是本征光電導效應。這里h是普朗克常數，v是光子頻率，Eg是材料的禁帶寬度(單位為電子伏)。因此，本征光電導體的響應長(cháng)波限λc為λc=hc/Eg=1。24/Eg(μm)式中c為光速。本征光電導材料的長(cháng)波限受禁帶寬度的限制。

在60年代初以前還沒(méi)有研制出適用的窄禁帶寬度的半導體材料，因而人們利用非本征光電導效應。Ge、Si等材料的禁帶中存在各種深度的雜質(zhì)能級，照射的光子能量只要等于或大于雜質(zhì)能級的離化能，就能夠產(chǎn)生光生自由電子或自由空穴。非本征光電導體的響應長(cháng)波限λ由下式求得λc=1。24/Ei式中Ei代表雜質(zhì)能級的離化能。

到60年代中后期，Hg1-xCdxTe、PbxSn1-xTe、PbxSn1-xSe等三元系半導體材料研制成功，并進(jìn)入實(shí)用階段。它們的禁帶寬度隨組分x值而改變，例如x=0。2的HG0。8Cd0。2Te材料，可以制成響應波長(cháng)為8～14微米大氣窗口的紅外探測器。它與工作在同樣波段的Ge：Hg探測器相比有如下優(yōu)點(diǎn)：

工作溫度高(高于77K)，使用方便，而Ge：Hg工作溫度為38K;本征吸收系數大，樣品尺寸小;易于制造多元器件。表1和表2分別列出部分半導體材料的Eg、Ei和λc值。

通常，凡禁帶寬度或雜質(zhì)離化能合適的半導體材料都具有光電效應。但是制造實(shí)用性器件還要考慮性能、工藝、價(jià)格等因素。常用的光電導探測器材料在射線(xiàn)和可見(jiàn)光波段有：CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge等;在近紅外波段有：PbS、PbSe、InSb、Hg0。75Cd0。25Te等;在長(cháng)于8微米波段有：Hg1-xCdxTe、PbxSn1-x、Te、Si摻雜、Ge摻雜等;CdS、CdSe、PbS等材料可以由多晶薄膜形式制成光電導探測器。

可見(jiàn)光波段的光電導探測器CdS、CdSe、CdTe的響應波段都在可見(jiàn)光或近紅外區域，通常稱(chēng)為光敏電阻。它們具有很寬的禁帶寬度(遠大于1電子伏)，可以在室溫下工作，因此器件結構比較簡(jiǎn)單，一般采用半密封式的膠木外殼，前面加一透光窗口，后面引出兩根管腳作為電極。高溫、高濕環(huán)境應用的光電導探測器可采用金屬全密封型結構，玻璃窗口與可伐金屬外殼熔封。

器件靈敏度用一定偏壓下每流明輻照所產(chǎn)生的光電流的大小來(lái)表示。例如一種CdS光敏電阻，當偏壓為70伏時(shí)，暗電流為10-6～10-8安，光照靈敏度為3～10安/流明。CdSe光敏電阻的靈敏度一般比CdS高。