海力士與ST為合資存儲器芯片制造廠(chǎng)舉行落成典禮
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這個(gè)技術(shù)先進(jìn)的新工廠(chǎng)將負責制造NAND閃存和DRAM存儲器芯片,該合資公司是海力士與意法半導體成功合作的結晶。合資雙方將獲得規模經(jīng)濟帶來(lái)的巨大的經(jīng)濟效益,將能提前進(jìn)入飛速增長(cháng)的中國市場(chǎng),在制造工藝和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)上實(shí)現優(yōu)勢互補。無(wú)錫晶圓制造廠(chǎng)將加快意法半導體在NAND閃存市場(chǎng)的前進(jìn)步伐,同時(shí)還將為嵌入式系統廠(chǎng)商提供能夠與閃存疊裝在一起的高性能的具有成本競爭力的DRAM芯片。新工廠(chǎng)將有助于擴大海力士的12英寸生產(chǎn)線(xiàn)的產(chǎn)能,加強其在全球增長(cháng)速度最快的中國半導體市場(chǎng)上的領(lǐng)先地位。海力士DRAM目前在中國的銷(xiāo)售量居第一位,據最新的iSupply資料顯示,市場(chǎng)份額約為47%。無(wú)錫工廠(chǎng)竣工后,海力士又增加了一個(gè)全球制造基地,該公司在美國俄勒岡尤金市還有一家全球制造基地。
兩家公司于2005年4月為新工廠(chǎng)舉行了奠基儀式,工廠(chǎng)占地面積550,000平方米,無(wú)塵潔凈室達到20,000平方米,8英寸和12英寸生產(chǎn)線(xiàn)分別于2006年7月和10月開(kāi)始量產(chǎn)。目前 DRAM芯片采用 80nm、90nm和110nm制造工藝,90nm和110nm晶圓在8英寸生產(chǎn)線(xiàn)上生產(chǎn), 80nm晶圓在12英寸生產(chǎn)線(xiàn)上生產(chǎn)。明年年中,兩條生產(chǎn)線(xiàn)除生產(chǎn)現有的DRAM外,還將開(kāi)始生產(chǎn)工藝先進(jìn)的NAND閃存。在產(chǎn)能方面,8英寸生產(chǎn)線(xiàn)預計月產(chǎn)晶圓 50,000片,12英寸生產(chǎn)線(xiàn)的月產(chǎn)量將達到18,000片晶圓。雙方將根據市場(chǎng)情況分配產(chǎn)品和存儲器密度。
這個(gè)合資廠(chǎng)的總投資額為20億美元,意法半導體與海力士半導體的股份比例1/3:2/3,中國本地金融機構和意法半導體還為合資公司提供了聯(lián)貸計劃。
該合資公司雇用大約2000名員工,絕大多數人來(lái)自本地勞動(dòng)力。從新工廠(chǎng)到上海是兩個(gè)小時(shí)的路程,工廠(chǎng)附近有大量的技術(shù)熟練的勞動(dòng)力,高度發(fā)達的配套基礎設施,以及巨大的擴展空間。
“如果不與ST合作,沒(méi)有無(wú)錫市政府的支持,我們不可能建成無(wú)錫工廠(chǎng)。通過(guò)合資公司,海力士相信與ST和無(wú)錫市的合作關(guān)系將會(huì )得到進(jìn)一步加強,新工廠(chǎng)有利于兩家公司各自的長(cháng)遠發(fā)展?!焙Aκ堪雽w公司董事長(cháng)兼首席執行官禹義濟表示,“我期望無(wú)錫工廠(chǎng)將成為海力士建立國際存儲器公司的立足點(diǎn)?!?nbsp;
市場(chǎng)調研公司iSuppli預計今年DRAM市場(chǎng)的增幅將達到24.4% ,營(yíng)業(yè)收入將達到309億美元,2006年NAND市場(chǎng)增幅將會(huì )達到17% ,營(yíng)業(yè)收入將達到126億美元。
中國是世界增長(cháng)最快的半導體市場(chǎng),目前中國市場(chǎng)占全球市場(chǎng)約15%。據市場(chǎng)調研機構的預測,中國在2008年前將會(huì )成為世界最大的半導體市場(chǎng),市場(chǎng)份額占全球半導體市場(chǎng)的四分之一以上。
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