保護便攜應用的高速數據線(xiàn)路

與無(wú)源元件相比，具有較低鉗位電壓的硅器件表現得更好。但是，有意思的是，同是硅保護器件，Semtech的Railclam技術(shù)和安森美半導體的“集成ESD保護”技術(shù)也有著(zhù)重要差別。用以實(shí)現每種類(lèi)型技術(shù)的設計技術(shù)能夠確定它們對ESD脈沖鉗位得怎樣。許多用于降低電容的設計技術(shù)伴隨著(zhù)具有較高ESD鉗位電壓的折衷。為了克服這個(gè)設計折衷而不犧牲鉗位電壓性能，安森美半導體運用突破性的工藝技術(shù)，將超低電容引腳二極管和大功率瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)二極管集成到單個(gè)裸片上，能夠用作高性能的片外ESD保護解決方案。這新型集成ESD保護技術(shù)平臺保持了傳統TVS二極管技術(shù)極佳的鉗位和低泄漏性能，同時(shí)還將電容降低至0.5pF。這在鉗位性能方面領(lǐng)先業(yè)界，可確保最敏感集成電路的保護。