基于屏蔽技術(shù)的華中數控系統EMC設計
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電場(chǎng)屏蔽設計時(shí)應考慮：一、系統中的強電設備（伺服驅動(dòng)器、變頻器、步進(jìn)驅動(dòng)器、開(kāi)關(guān)電源、電機）金屬外殼可靠接地，實(shí)現主動(dòng)屏蔽；二、敏感設備（如數控裝置等）外殼應可靠接地，實(shí)現被動(dòng)屏蔽；三、強電設備與敏感設備之間距離盡可能遠，一般在電柜內，強、弱電設備盡量保持30cm以上的距離，最小距離為10cm；四、高電壓、大電流動(dòng)力線(xiàn)與信號線(xiàn)應分開(kāi)走線(xiàn)，例如各自使用各自獨立的線(xiàn)槽等，距離盡可能保持在30cm以上，最小距離為 5～7.5cm，同時(shí)盡量避免平行走線(xiàn)，不能將強電線(xiàn)與信號線(xiàn)捆扎在一起；五、信號線(xiàn)應盡量靠近地線(xiàn)（或接地平板）或者用地線(xiàn)包圍它； 六、屏蔽電纜既能對電場(chǎng)起到被動(dòng)屏蔽作用，也能起到主動(dòng)屏蔽作用，條件是屏蔽層接地。
2.2 磁場(chǎng)屏蔽
當噪聲源具有低電壓和大電流性能時(shí)，其輻射場(chǎng)主要表現為磁場(chǎng)，磁場(chǎng)屏蔽是抑制噪聲源和敏感設備之間由于磁場(chǎng)耦合所產(chǎn)生的干擾。
2.2.1 磁場(chǎng)屏蔽的機理
磁場(chǎng)屏蔽主要是依賴(lài)高導磁材料所具有的低磁阻對磁通起到分路的作用，使得屏蔽體內部的磁場(chǎng)大大減弱，圖3說(shuō)明了這一原理。
2.2.2 磁場(chǎng)屏蔽的設計要點(diǎn)
磁場(chǎng)屏蔽的設計時(shí)應考慮：一、選用高導磁率的材料，如玻莫合金等，并適當增加屏蔽體的壁厚；二、被屏蔽的物體不要安排在緊靠屏蔽體的位置上，以盡量減少通過(guò)被屏蔽物體體內的磁通；三、注意磁屏蔽體的結構設計，對于強磁場(chǎng)的屏蔽可采用雙層磁屏蔽體結構；四、減少干擾源和敏感電路的環(huán)路面積。最好的辦法是使用雙絞線(xiàn)和屏蔽線(xiàn)，讓信號線(xiàn)與接地線(xiàn)（或載流回線(xiàn)）扭絞在一起，以便使信號與接地（或載流回線(xiàn)）之間的距離最近；五、增大線(xiàn)間的距離，使得干擾源與受感應的線(xiàn)路之間的互感盡可能地??；六、如有可能，使干擾源的線(xiàn)路與受感應線(xiàn)的線(xiàn)路呈直角（或接近直角）布線(xiàn)，這樣可大大降低兩線(xiàn)路間的磁場(chǎng)耦合；七、敏感設備應遠離干擾源（強電設備、變壓器等）布置，距離應保持30cm以上。
2.3 電磁場(chǎng)屏蔽
電磁場(chǎng)屏蔽用于抑制噪聲源和敏感設備距離較遠時(shí)通過(guò)電磁場(chǎng)耦合產(chǎn)生的干擾。電磁場(chǎng)屏蔽必須同時(shí)屏蔽電場(chǎng)和磁場(chǎng)，通常采用電阻率小的良導體材料?？臻g電磁波在入射到金屬體表面時(shí)會(huì )產(chǎn)生反射和吸收，電磁能量被大大衰減。從而起到屏蔽作用。
3 結束語(yǔ)
在經(jīng)濟全球化和中國是制造大國的格局下，在我國電網(wǎng)質(zhì)量波動(dòng)比較大及為保證數控機床在電磁環(huán)境較惡劣的工業(yè)現場(chǎng)長(cháng)時(shí)間、高強度、連續性使用情況下，本文結合華中數控系統，敘述了數控系統電磁兼容性設計要求及如何采用屏蔽技術(shù)來(lái)實(shí)現數控系統電磁兼容性。
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