針對EDGE/GSM手機發(fā)送電路的四種架構分析

為采用8PSK調制支持2.75G EDGE標準，手機設計工程師和芯片組供應商面臨著(zhù)新的挑戰。為滿(mǎn)足成本、功耗和制造工藝的需求，我們提出如下四種發(fā)送電路架構：極性反饋(Polar Feedback)“Lite”、極性反饋、極性開(kāi)環(huán)、直接調制(零差)。

圖1給出了當前大多數GSM手機中使用的平移(或偏移)環(huán)(translational loop)架構。這種架構的主要優(yōu)點(diǎn)是利用鎖相環(huán)(PLL)結構中的低通濾波器以起到帶通濾波的功能，從而不需要任何額外的濾波器就能提供優(yōu)良的頻譜屏蔽性能，而且對調制器模塊沒(méi)有嚴格的要求。該解決方案經(jīng)過(guò)幾代產(chǎn)品的改進(jìn)，其性能、集成度和成本等各方面都已經(jīng)得到了高度優(yōu)化。

圖1：GMSK調制平移環(huán)結構。

極性反饋“Lite”

“極性”調制器的概念是為了保留平移環(huán)結構，因此保留上述全部?jì)?yōu)點(diǎn)。然而為了支持EDGE模式，還必需對調制器增加調幅(AM)能力：在調制器輸出端去掉AM調制，饋送到幅度控制器，再饋送到高動(dòng)態(tài)范圍的VGA，從而再生成射頻AM和PM復合信號。將該信號饋送到一個(gè)純粹作為放大器的線(xiàn)性PA單元。由于PA沒(méi)有得到補償，所以它的線(xiàn)性度和動(dòng)態(tài)范圍必須非常高才能保證信號質(zhì)量。當然，線(xiàn)性PA通常不如飽和PA的效率高。

圖2：極性結構框圖。

為減小GSM模式中的電流，可以關(guān)斷AM控制器，并且將功率控制直接切換到PA。然而，由于設計折中，即使是在GSM的飽和狀態(tài)下運行，該PA的效率仍然比純飽和PA的效率低。

極性反饋

全極性架構如圖2所示，它與極性L(fǎng)ite的概念類(lèi)似，優(yōu)點(diǎn)是仍可配置傳統的GMSK飽和PA架構，具有前面所述的功率效率高的優(yōu)點(diǎn)。該框圖給出了本解決方案中圍繞PA增加的反饋環(huán)路。利用這個(gè)反饋環(huán)路來(lái)對PA進(jìn)行“線(xiàn)性化”(去除AM到AM及AM到PM失真)?；赑A反饋，AM控制器產(chǎn)生一個(gè)AM誤差項。系統將相應地調整PA增益以抵消AM誤差。利用鑒相器(PFD)可對PA引起的AM－PM失真進(jìn)行補償。這種反饋路徑使用的耦合器可以是獨立器件，也可以集成在PA模塊中。

圖3：極性“Lite”結構框圖。

極性開(kāi)環(huán)

開(kāi)環(huán)架構可以使用飽和PA，但該架構不包括圍繞PA的反饋環(huán)路。取而代之的是用電源、溫度、電壓、頻率來(lái)表征PA，而且這些數據都存儲在查找表(LUT)中。用數字邏輯選擇或插入適合工作條件的校正系數，并且當出現預失真時(shí)施加給AM控制器和IQ輸入。將AM復合信號反饋到PA振幅控制器上，并且將預失真相位反饋到調制器和平移環(huán)上，從而消除PA的非線(xiàn)性。但是這種方法需要在生產(chǎn)線(xiàn)上消耗大量時(shí)間校準以補償各元件之間的偏差，并且不容易校正系統老化效應。

圖4：極性開(kāi)環(huán)結構框圖。

直接調制

直接調制與前面討論的架構截然不同，它不使用平移環(huán)和中頻，而是調制器直接將IQ信號變換到要求的射頻信道。采樣VGA方法用輸出信號實(shí)現功率控制。然后根據調制器的噪聲性能，在信號送入線(xiàn)性PA之前可能還需要一個(gè)外部濾波器。這種架構的優(yōu)點(diǎn)是簡(jiǎn)單，但是從噪聲和雜散性能的角度來(lái)說(shuō)，由于沒(méi)有集成濾波，對設計RF調制器提出嚴峻挑戰。另外這種架構要求使用線(xiàn)性PA，它的效率不及飽和PA的效率高。

圖5：線(xiàn)性或零差結構框圖。

本文小結

直接調制方法看上去很吸引人，但實(shí)現過(guò)程存在一些問(wèn)題，并且功率效率比極性調制設計使用的飽和PA的效率低。在極性調制設計中，極性反饋方法比極性“Lite”方法效率高，由于極性反饋方法增加了制造的魯棒性，并且顯著(zhù)降低了與開(kāi)環(huán)架構相關(guān)的校準開(kāi)銷(xiāo)。

表1：各種調制架構比較。