德州儀器著(zhù)眼于將嵌入式 FRAM 作為新一代非易失存儲器技術(shù)
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VLSI 研究公司總裁 G. Dan Hutcheson 說(shuō)：“在開(kāi)發(fā)作為新一代嵌入式非易失性?xún)却娴?FRAM 方面，TI 已向前邁出了重要的一步。通過(guò)采用標準 CMOS 工藝，該內存使 TI 可將非常緊密的內存單元與邏輯器件相集成。由于只需通過(guò)非常簡(jiǎn)單地添加制造工藝便可生產(chǎn) FRAM，而且還具有其它非易失性?xún)却婕夹g(shù)難以抗衡的低成本、低功耗及高性能等優(yōu)異特性，因此，在便攜式應用中使用嵌入式 FRAM也 極具吸引力?！?/P>
用于嵌入式應用的 FRAM
FRAM 所具有的快速訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間、低功耗、小單元尺寸及低制造成本等特性使之可用于程序和數據的應用，從而使它非常適合于無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品。其它潛在市場(chǎng)應用還包括寬帶接入、消費類(lèi)電子產(chǎn)品及 TI 種類(lèi)繁多的可編程 DSP。
TI 負責芯片技術(shù)開(kāi)發(fā)的高級副總裁兼總監 Hans Stork 說(shuō)：“我們相信在2005年內，FRAM 有能力成為各種應用領(lǐng)域對非易失性?xún)却嫘枨蟮睦硐脒x擇。這有力地證明了，半導體材料研究及創(chuàng )新的產(chǎn)品設計可實(shí)現革命性的進(jìn)步，TI 堅信 FRAM 能夠改變嵌入式內存的產(chǎn)品動(dòng)態(tài)?！?/P>
TI 最初的 FRAM 測試芯片是采用僅需兩個(gè)額外掩膜步驟的標準 0.13微米銅線(xiàn)互連工藝制造而成。1.5V 的芯片展示了迄今為止最小的 FRAM 單元，經(jīng)測量?jì)H 0.54um
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