瞄準16/14nm檢測需求 漢微科明年產(chǎn)能翻三倍

　　半導體電子束檢測(E-beam Inspection)設備龍頭漢微科正全速擴產(chǎn)。繼28和20奈米(nm)之后，2015年晶圓代工廠(chǎng)紛紛跨入16或14奈米鰭式電晶體(FinFET)世代，對高解析度的電子束檢測設備需求將更加強勁，因而帶動(dòng)漢微科提早展開(kāi)布局，將于2013～2014年投入新臺幣10億元擴建新廠(chǎng)房，并于2014下半年正式投產(chǎn)，挹注三倍設備產(chǎn)能。

　　漢微科財務(wù)長(cháng)李學(xué)寒表示，自2012年開(kāi)始，晶圓代工業(yè)者已逐步在28奈米先進(jìn)制程中導入高階電子束晶圓缺陷檢測設備，以克服電晶體密度大幅微縮后，傳統光學(xué)檢測方案不敷應用的問(wèn)題。隨著(zhù)一線(xiàn)晶圓代工廠(chǎng)爭相在2013年推出20奈米制程，并接續于2014～2015年往下跨入16或14奈米世代，電子束檢測設備需求更將顯著(zhù)上揚，預估今年產(chǎn)值將上看2億美元，并于2014年飆升至3億美元。

　　因應市場(chǎng)強勁需求，漢微科行銷(xiāo)副總經(jīng)理胡瑞卿強調，該公司已計劃今明2年各投資新臺幣5億元于南科辟建新的無(wú)塵室與設備產(chǎn)線(xiàn)，預估2014年下半年即可完工并隨即加入量產(chǎn)行列，有助旗下電子束檢測設備年產(chǎn)能三級跳，從現有的五十臺躍升至一百五十臺水準，全面滿(mǎn)足晶圓廠(chǎng)部署20奈米以下制程的需求。

　　據悉，今年上半年漢微科已陸續接獲20奈米晶圓的電子束檢測設備訂單;同時(shí)也與主要晶圓廠(chǎng)攜手展開(kāi)1x奈米FinFET晶圓檢測技術(shù)合作，可望于2014年開(kāi)花結果，挹注另一波電子束檢測設備出貨成長(cháng)動(dòng)能。

　　李學(xué)寒透露，晶圓廠(chǎng)正馬不停蹄備戰先進(jìn)奈米制程，刺激半導體檢測技術(shù)加快演進(jìn)步伐，且相關(guān)設備需求也將逐年高漲。因此，漢微科將于今年底發(fā)表新一代eScan 500電子束檢測設備，除將解析度推升至3奈米水準外，亦將整合跳躍式掃描系統(Leap Scan)和連續式掃描系統(Continuous Scan)，從而提高應用價(jià)值與吞吐量，鞏固該公司目前在電子束晶圓檢測領(lǐng)域市占高達八成的領(lǐng)先地位。 由于美、日傳統光學(xué)檢測方案供應商近來(lái)亦積極轉戰電子束應用領(lǐng)域，漢微科正致力開(kāi)發(fā)更前瞻的技術(shù)，期拉開(kāi)技術(shù)差距。李學(xué)寒表示，該公司下一代產(chǎn)品將朝2奈米以下超高解析度邁進(jìn)，并采取多頭布局策略，針對10奈米極紫外光(EUV)微影方案，以及三維晶片(3D IC)矽穿孔(TSV)制程研發(fā)相應的檢測設備;同時(shí)還將加碼投資多重光束電子束(Multi Column E-beam)技術(shù)，并于2014年底推出Beta版本設備，協(xié)助晶圓廠(chǎng)提高數倍1x奈米晶圓檢測速度。

　　事實(shí)上，半導體業(yè)界認為，晶圓制程走到1x奈米后，光學(xué)檢測幾乎面臨極限，電子束方案將順勢取而代之;漢微科主攻電子束檢測可謂押對寶，自2011年晶圓廠(chǎng)開(kāi)始部署28奈米時(shí)，該公司就已在半導體晶圓前段制程缺陷檢測領(lǐng)域嶄露頭角，之后2年營(yíng)收更屢創(chuàng )新高。今年第二季毛利率不僅維持70.4%，營(yíng)收也達到新臺幣12億8,796萬(wàn)元的出色表現，且預估第三季因客戶(hù)積極準備量產(chǎn)20奈米，刺激相關(guān)檢測設備需求，該公司營(yíng)收仍將微幅成長(cháng)。