基于浮柵技術(shù)的閃存

　　這個(gè)劑量數值對恒憶閃存的閾值電壓參數分布未產(chǎn)生任何可以測量的影響。

　　這意味著(zhù)恒憶客戶(hù)使用X射線(xiàn)檢查提前焊好的印刷電路板，無(wú)需給閃存重新編程，無(wú)需對在正常制造過(guò)程中已完成擦除操作的閃存進(jìn)行擦除操作，也無(wú)需為確保存在存儲陣列的數據的可靠性而應用一個(gè)雙重編程算法。

　　下圖是在對整個(gè)存儲陣列施加低于1Rad劑量的X射線(xiàn)前后的閾壓分布曲線(xiàn)和對整個(gè)存儲陣列施加30 Rad的X射線(xiàn)前后的閾壓分布曲線(xiàn)，被測試器件是恒憶的車(chē)用16Mbit串行閃存M25P16。歡迎轉載，本文來(lái)自電子發(fā)燒友網(wǎng)(http://www.elecfans.com/)

　　圖3 施加1 Rad / 30 Rad射線(xiàn)前后的閾壓分布曲線(xiàn)圖

　　為證明前述測試結果的有效性，查找可能的臨界條件，X射線(xiàn)劑量值被提高1000倍 (2.5 KRad )，并進(jìn)行兩次回流焊。

　　圖4 在受2500 Rad射線(xiàn)照射前后的閾壓分布曲線(xiàn)