嵌入式系統中存儲器性能研究

3 測試用讀寫(xiě)方式
為了檢測內存潛在的問(wèn)題，除了設計一些測試用的數據，還設計了一些讀寫(xiě)方式，和數據相結合來(lái)檢測。
3．1 MSCAN
MSAN讀寫(xiě)方式是按地址遞增順序，首先寫(xiě)入0，然后仍然按照此順序讀出校驗。MSCAN用來(lái)檢測內存單元。
3．2 MARCH
MARCH讀寫(xiě)方式的檢測對象是地址譯碼器。如果地址譯碼器有問(wèn)題，就會(huì )產(chǎn)生多重選擇的問(wèn)題，即同一個(gè)地址對應多個(gè)內存單元，或者多個(gè)地址對應同一個(gè)內存單元?？梢圆捎萌缦碌淖x寫(xiě)方式來(lái)檢測這種問(wèn)題。如圖8，首先順序寫(xiě)入“0”，然后順序校驗，校驗一個(gè)數據后立即將數據改為“1”，然后逆序校驗，校驗后立即將數據改為“0”。

3．3 MASEST
MASEST讀寫(xiě)方式的檢測對象也是地址譯碼器。不過(guò)側重于地址譯碼器的翻轉噪聲。按照圖8中的順序寫(xiě)入行帶狀數據，此順序的目的是讓地址譯碼器譯碼每次輸出都盡可能多的翻轉。然后在按此順序校驗，校驗同時(shí)把數據翻轉。最后順序讀取數據校驗。
3．4 CMD
CMD讀寫(xiě)方式檢測內存單元間的相互干涉。如圖9，首先寫(xiě)入棋盤(pán)數據。然后按照如圖9順序校驗。

3．5 ROW／COL組合
ROW／COL組合測試的對象是內存控制電路。內存單元陣列分為行和列，某一個(gè)行地址有效時(shí)，對某一個(gè)單元進(jìn)行讀／寫(xiě)組合的操作，由于內存單元需要定時(shí)刷新，這種操作可能對刷新造成影響。ROW／COL組合讀取方式固定某一行，對一個(gè)單元進(jìn)行讀／寫(xiě)組合操作，驗證刷新的影響。然后對同一行的下一列進(jìn)行相同的操作。