明年ARM處理器主頻將達到3Ghz

　　目前市面上絕大部分平板和智能手機都采用了ARM芯片，而這種處理器也隨著(zhù)臺積電(TSMC)、格羅方德(GlobalFoundries)等的工藝進(jìn)步 以及人們對性能的追求預計在時(shí)鐘頻率方面會(huì )達到3Ghz。預計明年，臺積電和格羅方德都會(huì )開(kāi)始向市場(chǎng)推3Ghz主頻的芯片，實(shí)際面向手機生產(chǎn)商的產(chǎn)品則在高通驍龍系列芯片中得以實(shí)施。

　　目前ARM架構的芯片中，主頻最高的是高通的Krait 400結構，也就是高通驍龍800處理器，達到了2.3Ghz。Krait 400實(shí)際上是高通自行設計的芯片結構，部分借鑒了ARM Cortex-A15架構。后者目前在市場(chǎng)上的成品主要有英偉達的Tegra 4和三星Exynos 5。

　　為將主頻提升至3Ghz，臺積電和格羅方德?lián)Q(chēng)將會(huì )采用更先進(jìn)的工藝，由現在的28nm降至20nm。新工藝不僅能讓芯片性能表現更佳，而且還能帶來(lái)更高的效率，每核所耗電量也會(huì )控制在合理的范圍內。

　　這次ARM芯片速度的提升也將幫助ARM陣營(yíng)對戰Intel Atom的Bay Trail處理器。Bay Trail微架構芯片預計將在未來(lái)的不少平板上得以施展拳腳，尤其是Windows 8.1便攜設備。Intel近兩年在低功耗芯片的研發(fā)上也取得了相當不錯的成績(jì)，并且性能也表現不凡，ARM需要有所突破勢必得做得更出色。