CMOS上的MEMS振蕩器---Silicon Labs的獨創(chuàng )

　　Silicon Labs近日推出了其頗為滿(mǎn)意的一款產(chǎn)品-基于MEMS的Si50x振蕩器。其關(guān)鍵創(chuàng )新點(diǎn)在于使用Silicon Labs專(zhuān)利的CMEMS技術(shù)，CMEMS技術(shù)是把MEMS架構直接構建于標準CMOS晶圓上，從而獲完全集成的高可靠“CMOS+MEMS”單晶片解決方案。



                                    圖1   CMEMS的多層結構圖（分離圖）

　　Silicon Labs副總裁兼時(shí)序產(chǎn)品總經(jīng)理Mike Petrowski介紹，推出Si50x系列產(chǎn)品主要是填補公司在大眾市場(chǎng)的產(chǎn)品空白，比如數碼相機、存儲和內存、ATM機、POS機、打印機等。雖然是滿(mǎn)足批量市場(chǎng)，但是Si50x的性能也還是很出眾的，總結起來(lái)就是成本更低、尺寸更小、更可靠、更高集成度、更加便利性。


                         Silicon Labs副總裁兼時(shí)序產(chǎn)品總經(jīng)理Mike Petrowski

　　低成本：Si50x是在CMOS工廠(chǎng)大批量生產(chǎn)制造，工廠(chǎng)具有標準生產(chǎn)線(xiàn)，從而大幅降低了生產(chǎn)成本。

　　小尺寸：其質(zhì)量比石英晶體減小了61000倍，采用標準CMOS IC制造工藝能夠生產(chǎn)出三種工業(yè)標準的封裝尺寸：2mm*2.5mm、2.5mm*3.2mm和3.2mm*5mm。

　　高可靠性：這與幾個(gè)方面的改進(jìn)有關(guān)系，其一是與選用的材料有關(guān)，Si50x采用SiGe材料，(見(jiàn)圖2)，這樣做的好處是，當溫度升高時(shí)，芯片上的SiGe會(huì )變硬，而其中的氧化槽會(huì )變軟，這一軟一硬的相互補充，就可以使器件的頻率漂移接近于0。其二是因為整個(gè)MEMS在CMOS之上，很近的距離使溫度傳感器的工作效率更高，響應速度也更快。其三，固定方式的不同，傳統的晶體振蕩器只有2個(gè)錨點(diǎn)，而Si50x有周?chē)膫€(gè)加中心一個(gè)的5錨點(diǎn)固定(參見(jiàn)圖3)，更耐得住沖擊和振動(dòng)。


                                      圖2 Si50x的材料可以產(chǎn)生被動(dòng)溫度補償

                                                圖3  Si50x的5個(gè)錨點(diǎn)很牢靠

　　便利性：此產(chǎn)品與現有的石英或者M(jìn)EMS振蕩器引腳和封裝兼容，可以實(shí)現快速替換。Si50x包括四類(lèi)產(chǎn)品，單頻率振蕩器Si501、雙頻率振蕩器Si502、四頻率振蕩器Si503和完全可編程的振蕩器Si504，可以根據使用需要實(shí)時(shí)調節頻率。

　　此外為了方便CMEMS振蕩器評估和應用開(kāi)發(fā)，Silicon Labs還提供Si50-1-2-3-4-EVB評估套件。

　　Mike還介紹說(shuō)，兩年前公司就開(kāi)始和中芯國際合作開(kāi)發(fā)采用CMEMS技術(shù)的生產(chǎn)線(xiàn)，初次采用CMEMS技術(shù)生產(chǎn)出來(lái)的Si50x產(chǎn)品能有如此出色的性能，他們也感到很高興(也可以理解為比預期的好)。當被問(wèn)及花費這么大精力研究的應用CMEMS技術(shù)生產(chǎn)線(xiàn)是否僅僅用于Si50x的生產(chǎn)，Mike說(shuō)，未來(lái)會(huì )考慮用于性能更高產(chǎn)品的生產(chǎn)。在此我個(gè)人的理解，CMEM工藝的研究的最終目標一定是服務(wù)于全產(chǎn)品系列的，但是首先用于Si50x，應該是在測試和檢驗這一工藝的性能和市場(chǎng)的接受度。

　　Mike還順便解釋了，現在Silicon Labs的產(chǎn)品由幾年前的無(wú)晶體振蕩器轉向了MEMS振蕩器，是因為后者工藝更簡(jiǎn)單，開(kāi)發(fā)周期更短。

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