Molex推出下一代高性能超低功率存儲器技術(shù)

 　　(新加坡 – 2013年5月16日) 全球領(lǐng)先的全套互連產(chǎn)品供應商Molex公司宣布推出空氣動(dòng)力型DDR3 DIMM插座和超低側高DDR3 DIMM 存儲器模塊插座產(chǎn)品組合，兩個(gè)產(chǎn)品系列均適用于電信、網(wǎng)絡(luò )和存儲系統、先進(jìn)計算平臺、工業(yè)控制和醫療設備中要求嚴苛的存儲器應用。

　　DDR3是為支持800 -1600 Mbps的數據速率(頻率400 - 800 MHz)而制定的DDR DRAM接口技術(shù)，該數據速率是DDR2接口的兩倍。采用標準1.5V工作電壓，DDR3對比DDR2減少了30%的功耗。Molex的DDR3 DIMM插座的底座面比標準設計更低，在A(yíng)TCA刀片系統中可以使用最大底座高度低于2.80 mm的極低側高模塊，新型DDR3 DIMM插座還具有10 mΩ的低電平接觸電阻，以便使用注冊DIMM模塊并且在刀片式服務(wù)器中降低功耗。

　　Molex產(chǎn)品經(jīng)理Douglas Jones表示：“隨著(zhù)對更高帶寬的需求繼續增長(cháng)，能夠以較快速率傳輸數據而不犧牲寶貴的空間或功率是至關(guān)重要的。使用DDR3 DIMM插座，讓我們的客戶(hù)不僅能夠充分利用最高性能的存儲器互連的優(yōu)勢，而且又能維持或減小現有封裝尺寸并降低功耗。”

　　Molex 空氣動(dòng)力型DDR3 DIMM插座具有流線(xiàn)型外殼和閉鎖設計，以實(shí)現氣流最大化，并消除運作期間聚集的熱空氣。人類(lèi)環(huán)境學(xué)閉鎖設計能夠實(shí)現快速動(dòng)作，并且輕易移開(kāi)高密度存儲器模塊。2.40 mm的低底座面優(yōu)化了垂直空間，能更靈活地設計插座模塊的高度?？諝鈩?dòng)力型DDR3 DIMM插座用于極低側高壓接(14.26 mm)、低側高壓接(22.03 mm)、低側高SMT (21.34 mm)和極低側高SMT (14.20 mm)高度，與標準壓接終端相比，這些壓接插座的針孔型順應引腳更小，有效節省了寶貴的PCB空間，以適用于較高密度的電子線(xiàn)路設計。Molex所有空氣動(dòng)力型DDR3 DIMM插座均符合RoHS標準，SMT型款不含有鹵素。

　　Molex超低側高DDR3 DIMM插座的底座面高僅1.10mm，為業(yè)內最低。該插座在PCB上提供最高20.23 mm垂直空間，用于安裝高密度DIMM，適用于要求符合ATCA電路板機械規范的應用，這項規范要求前PCB板一側的元件高度不能超過(guò)21.33 mm。超低側高DDR3 DIMM插座的閉鎖動(dòng)作的角度較小，所需的PCB空間也比標準DIMM更少，既改善了氣流，又實(shí)現了更貼近的元件安裝。新型無(wú)鹵素插座具有玻璃填充的高溫尼龍外殼和閉鎖裝置，可以使用波峰焊和高溫紅外回流焊運作。