在選擇一款符合EN55022標準的低EMI電源之前，您應該了解些什么呢?

　　引言

　　由于市場(chǎng)對于提升信息技術(shù)和通信設備性能的需求，因此如今的系統設計人員面臨著(zhù)必需設計EMI兼容產(chǎn)品的巨大挑戰。在銷(xiāo)售之前，所有通常被規定為具有一個(gè)高于9kHz之已調時(shí)鐘信號的信息技術(shù)設備(ITE)都必須滿(mǎn)足相關(guān)的政府標準，例如美國的FCC Part 15 Subpart B和歐盟的EN55022，這些標準規定了工業(yè)和商業(yè)環(huán)境(Class A)以及家庭環(huán)境(Class B)的最大可容許輻射發(fā)射。鑒于此類(lèi)嚴格的EMI標準、工程人力資源限制和產(chǎn)品快速上市要求，使得通過(guò)EN55022標準認證之電源模塊的普及率有所提高。然而重要的是必須知曉電源模塊在認證時(shí)所處的電氣操作條件，以避免在之后的設計過(guò)程中感到詫異。對開(kāi)關(guān)模式穩壓器中的EMI干擾源和場(chǎng)強因子有所了解將有助于設計工程師選擇最佳的組件，以減輕特別是那些所需電流水平較高之尖端設備中的電磁輻射。

　　EMI輻射源

　　由于其特殊的性質(zhì)，開(kāi)關(guān)電源會(huì )產(chǎn)生輻射到周?chē)髿庵械碾姶挪?。脈沖電壓和電流將因開(kāi)關(guān)動(dòng)作而出現，并直接影響輻射電磁波的強度(見(jiàn)邊欄)。此外，轉換器內部的寄生器件也會(huì )產(chǎn)生電磁輻射。圖2給出了一款典型的降壓型轉換器，其包括功率MOSFET的寄生電感器和寄生電容器?！　?/p>

 

　　在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期里，存儲在寄生電感器中的能量將和存儲于寄生電容器中的能量發(fā)生共振。當能量釋放時(shí)將在開(kāi)關(guān)節點(diǎn)(VSW)上產(chǎn)生一個(gè)很大的電壓尖峰，其最大可達輸入電壓的兩倍，如圖3所示。當MOSFET的電流能力增加時(shí)，存儲在寄生電容器中的能量往往也會(huì )增加。另外，開(kāi)關(guān)動(dòng)作還使輸入電流以及流過(guò)頂端MOSFET(ITOP)和底端MOSFET(IBOT)的電流產(chǎn)生脈動(dòng)。此脈沖電流將在輸入電源電纜和PCB板印制線(xiàn)(其充當了發(fā)射天線(xiàn))上產(chǎn)生電波，從而產(chǎn)生輻射發(fā)射和傳導發(fā)射?！　?/p>