Vishay Siliconix 擴展ThunderFET?的電壓范圍
英飛凌汽車(chē)電子生態(tài)圈
掃碼關(guān)注
獲取最新最全汽車(chē)電子
技術(shù)方案與實(shí)用技巧
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新款采用熱增強型PowerPAK SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET 技術(shù)的電壓擴展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的導通電阻低至18m?和23m?，同時(shí)保持低柵極電荷，在10V和7.5V下的典型電荷為31nC和22.8nC?！ ?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/144547.htm
日前發(fā)布的器件適用于DC/DC轉換器、DC/AC逆變器，以及通信磚式電源、太陽(yáng)能微逆變器和無(wú)刷直流電機的升壓轉換器中的初級側和次級側的同步整流。在這些應用當中，SiR872ADP的導通電阻比前一代器件低45%，可降低傳導損耗，提高系統的整體效率。
SiR872ADP在10V和7.5V下導通電阻與柵極電荷的乘積分別為563mΩ-nC和524mΩ-nC，該參數是DC/DC轉換器應用中表征MOSFET的優(yōu)值系數(FOM)。器件的FOM可減低傳導和開(kāi)關(guān)損耗，從而提高總的系統效率。這款MOSFET的性能高于很多前一代器件，有可能減少總的元器件數量，并簡(jiǎn)化設計。
SiR872ADP進(jìn)行了100%的Rg和UIS測試，符合JEDEC JS709A的無(wú)鹵素規定，符合RoHS指令2011/65/EU。這款器件屬于近期發(fā)布的100V SiR846ADP和SiR870ADP，及80V SiR826ADP ThunderFET MOSFET之列，讓設計者可以從采用PowerPAK SO-8封裝的多款中等電壓器件中進(jìn)行選擇。借助ThunderFET、TrenchFET Gen IV和E/D系列MOSFET，Vishay能夠滿(mǎn)足所有功率轉換應用的需求。
新款MOSFET現可提供樣品，并已實(shí)現量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十三周到十四周。
評論