德州儀器柵極驅動(dòng)器旨在滿(mǎn)足IGBT與SiC FET設計需求
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日前，德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 與碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅動(dòng)器。TI 支持拆分輸出的最新 UCC27531 與 UCC27532 輸出級柵極驅動(dòng)器可為隔離式電源設計提供最高效率的輸出驅動(dòng)功能、最低的傳播延遲以及更高的系統保護力，以充分滿(mǎn)足太陽(yáng)能 DC/AC 逆變器、不間斷電源供應以及電動(dòng)汽車(chē)充電等應用需求。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/142636.htm當前的可再生能源應用需要電源組件的支持，以更高效率安全地提高供電量。設計人員喜歡采用 IGBT 或最新 SiC FET ，以在超過(guò) 400V 的電壓下降低功率損耗。這些器件不但支持高達 1,200 伏的關(guān)態(tài)電壓，而且還提供比同等 MOSFET 更低的導通電阻。它們通常由 TI 微控制器或專(zhuān)用數字電源控制器(如 UCD3138)管理。此外，基于 IGBT 和 SiC FET 的新一代設計方案還需隔離功率級高噪聲開(kāi)關(guān)環(huán)境中的功率與信號。
UCC27531 和 UCC27532 可避免數字控制器運作時(shí)太靠近電源電路，從而延長(cháng)隔離式電源設計方案的壽命?！ ?/p>
UCC27531 的主要特性與優(yōu)勢：
- 強大的輸出驅動(dòng)功能：2.5 A 源極與 5 A 汲極峰值電流支持更快的 IGBT 充電，可確保運作可靠高效;
- 最快速的傳播時(shí)間：17 納秒的典型延遲值可提高驅動(dòng)器效率;
- 高可靠性：UVLO 設置與軌至軌輸出電壓可提供系統保護;
- 可處理高噪聲環(huán)境：負輸入電壓處理使驅動(dòng)器能支持多種工業(yè)設計;
- 系統保護：拆分輸出配置可提高 Miller 接通抗擾度，防止 IGBT/MOSFET 損壞。
不斷壯大的 IGBT 驅動(dòng)器系列
最新輸出級驅動(dòng)器進(jìn)一步壯大了 TI 驅動(dòng) IGBT 的模擬及數字控制器產(chǎn)品系列。ISO5500 等隔離式柵極驅動(dòng)器可在大電流、高電壓設計方案中提高安全性與系統性能。此外，該驅動(dòng)器還可在長(cháng)時(shí)間內、在不同溫度和濕度下確保 SiO2 電介質(zhì)的穩定性，提供業(yè)經(jīng)驗證的高可靠性。另外，TI 還提供龐大完善的單雙通道 5A 高速低側電源管理柵極驅動(dòng)器之產(chǎn)品陣容，如 UCC2751x 和 UCC2752x 系列等。
供貨情況與價(jià)格
采用 6 引腳、SOT-23 封裝的 UCC27531 與 UCC27532 柵極驅動(dòng)器現已開(kāi)始供貨。同步提供的還有 UCC27531EVM-184 IGBT 驅動(dòng)器子卡評估板，可通過(guò) TI eStore 訂購。此外，PSpice 模型與《IGBT 35V 單通道柵極驅動(dòng)器》應用手冊還有助于加速設計進(jìn)程。
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