羅姆開(kāi)發(fā)出超低VF小型肖特基勢壘二極管
日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都)面向智能手機等便攜設備開(kāi)發(fā)出業(yè)界頂級的低VF小型肖特基勢壘二極管“RBE系列”。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/138442.htm本產(chǎn)品已經(jīng)以月產(chǎn)500萬(wàn)個(gè)的規模開(kāi)始量產(chǎn),隨著(zhù)客戶(hù)采用的增加,從2012年9月份開(kāi)始將產(chǎn)能擴充為每月1000萬(wàn)個(gè)?!?/p>

此次,產(chǎn)品陣容中新增了更加小型的VML2封裝(1.0×0.6mm)。通過(guò)這些產(chǎn)品,將非常有助于便攜設備節省空間。
生產(chǎn)基地位于ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)、ROHM Electronics Philippines, Inc.(菲律賓)、ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.(天津)、ROHM Semiconductor Korea Corporation(韓國)、ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(馬來(lái)西亞)。
近年來(lái),智能手機等便攜設備的多功能化日益加速,對電池的長(cháng)時(shí)間驅動(dòng)需求強勁。降低耗電量成為首要課題,電源電路日趨向低電壓、大電流化方向發(fā)展。為此,電源電路中采用的肖特基勢壘二極管需要低VF且平均整流電流較高的產(chǎn)品。但是,為了降低VF并且實(shí)現大電流化,需要增加芯片尺寸,因此很難滿(mǎn)足對“小型”的需求。
此次羅姆通過(guò)優(yōu)化二極管的元件結構,大幅改善了電流效率。與以往的相同封裝產(chǎn)品相比,VF降低了約32%,實(shí)現了業(yè)界頂級的低VF。由此,可以大幅抑制施加正向電流所產(chǎn)生的發(fā)熱,相同封裝也可確保大電流。
另外,由于確保了大電流,可以實(shí)現比以往封裝產(chǎn)品更加小型封裝的設計(在相同額定電流下相比),最大安裝面積消減了約80%。
羅姆今后會(huì )不斷追求更加小型、低VF、大電流化,不斷完善滿(mǎn)足客戶(hù)需求的產(chǎn)品陣容?! ?/p>

<特點(diǎn)>
1) 小型封裝,確保大電流
業(yè)界頂級的低VF,以小型封裝可確保大電流?! ?/p>
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