TriQuint推出新型高性能GaAs射頻驅動(dòng)放大器

　　技術(shù)創(chuàng )新的射頻解決方案領(lǐng)導廠(chǎng)商TriQuint半導體公司(納斯達克代碼：TQNT)，推出兩款采用新封裝的1W和2W砷化鎵 (GaAs) 射頻驅動(dòng)放大器--- TQP7M9105、TQP7M9106，它們在CDMA、WCDMA和LTE基站或類(lèi)似應用中能夠提供一流的線(xiàn)性度、低功耗和先進(jìn)的保護功能。這些高性能放大器具有極寬工作帶寬并且非常堅固，在操作范圍50到1500 MHz之間提供高性能。

　　TQP7M9105和TQP7M9106 是不斷發(fā)展壯大的TriQuint 第三代5V線(xiàn)性驅動(dòng)放大器產(chǎn)品系列的最新成員。除了在蜂窩收發(fā)基站 (BTS) 應用中的卓越性能以外，它們同樣非常適用于遠程無(wú)線(xiàn)電頭端 (RRH) 和小蜂窩基站的射頻設計。

　　TQP7M9105提供1W(+30 dBm)的P1dB射頻輸出功率，增益為19.4 dB，輸出三階交調截取點(diǎn)(OIP3)為達到同類(lèi)產(chǎn)品最高線(xiàn)性度的49 dBm，在+5 V電壓下耗電僅為220 mA。TQP7M9106提供2W(+33 dBm)的P1dB射頻輸出功率，增益為20.8 dB, 輸出三階交調截取點(diǎn)為大于競爭器件的50dBm，在+5 V電壓下耗電僅455 mA。這兩款器件都集成了片上電路，這使它們能夠達到工作模式為 A類(lèi)但效率為 AB類(lèi)的放大器的典型線(xiàn)性度。

　　另外這兩種產(chǎn)品還具有出色的耐電強度，能夠處理它們經(jīng)常會(huì )遇到的“超出規范的”工作條件。例如，它們能夠提供射頻輸入過(guò)載保護和直流過(guò)壓保護。此外，它們的片上靜電放電 (ESD) 保護使它們能夠滿(mǎn)足嚴格的 1C類(lèi) HBM規范要求，這使它們能夠經(jīng)受通常會(huì )在正常制造環(huán)境中遇到的大部分雜散電壓。這兩種產(chǎn)品采用符合RoHS標準的無(wú)鉛SOT-89 (TQP7M9105) 封裝和4x4mm QFN (TQP7M9106) 表面貼裝封裝。

　　技術(shù)細節：

　　TQP7M9105：50-1500 MHz射頻驅動(dòng)放大器，1W (+30 dBm) P1dB 射頻輸出功率、+49 dBm OIP3、19dB 增益、片上射頻輸入過(guò)載、直流過(guò)壓和靜電放電保護;+5V 電源，220mA電流消耗;采用3引腳SOT-89封裝。

　　TQP7M9106：50-1500 MHz射頻驅動(dòng)放大器，2W (+33dBm) P1dB 射頻輸出功率、+50 dBm OIP3、20dB 增益、片上射頻輸入過(guò)載、直流過(guò)壓和靜電放電保護;+5V 電源，455mA電流消耗;采用24引腳4x4mm QFN封裝。

　　新TQP7M9105和TQP7M9106驅動(dòng)放大器現已量產(chǎn)并供應完整組裝的評估夾具。