Vishay日本展出最新的領(lǐng)先半導體和無(wú)源電子元件

　　21IC訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將參加7月11日至13日日本Tokyo Big Sight舉行的Techno-Frontier 2012，在專(zhuān)業(yè)的功率系統展覽Power System Japan的6D-210展位展出其最新的半導體和無(wú)源電子元件。為紀念Felix Zandman創(chuàng )辦Vishay 50周年，Vishay將展示其產(chǎn)品如何幫助工程師滿(mǎn)足在各種各樣應用中對節省空間和提高效率的特定需求。

　　Vishay在Techno-Frontier 2012展出的產(chǎn)品包括：

　　電阻：Vishay將展出具有高功率密度和能在+275℃高溫的惡劣環(huán)境下工作的Power Metal Strip®電阻，以及用于功率計和電池管理應用的高電流Power Metal Strip分流電阻。觀(guān)眾在展會(huì )上還會(huì )看到適用于風(fēng)電機組的不銹鋼剎車(chē)電阻，用于汽車(chē)、工業(yè)和電信應用的圓柱形薄膜MELF電阻。

　　電感器：對于各種最終產(chǎn)品中的電壓調節模塊(VRM)、DC-DC轉換器和噪聲濾波應用，Vishay將展示最新的SMD電感器，以及高溫、高電流通孔器件。

　　電容器：Vishay的MICROTAN®固鉭片式電容器將在展會(huì )上亮相，此外還有用于中功率電子產(chǎn)品的小尺寸DC-link聚丙烯薄膜電容器。對于核磁共振診斷設備，公司將展出無(wú)磁多層陶瓷片式電容器(MLCC)。

　　二極管：重點(diǎn)產(chǎn)品將包括用于汽車(chē)應用的整流器和瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)，以及具有極低正向電壓降和低外形封裝，可用于光伏太陽(yáng)能電池旁路保護的45V TMBS®系列整流器。

　　MOSFET：TrenchFET® Gen IV功率MOSFET將出現在展會(huì )上，這種MOSFET的導通電阻只有前一代20V～30V器件的一半。另一個(gè)看點(diǎn)是E系列功率MOSFET，其導通電阻比其他600V～650V器件低30%。

　　功率IC：對于負載點(diǎn)應用，Vishay將提供高效同步降壓穩壓器和microBUCK®穩壓器，用于電壓穩壓器(VR)的高頻、高電流的DrMOS集成式功率級可在服務(wù)器、桌面電腦、圖形卡和其他產(chǎn)品中能夠發(fā)揮節省空間的功效。

　　光電子產(chǎn)品：特色產(chǎn)品將包括用于3D電視主動(dòng)式眼鏡的表面貼裝紅外接收器;業(yè)內首款把信號探測和處理集成到單個(gè)元件內的遙控編碼學(xué)習IC;具有業(yè)內0.8mm業(yè)內最低高度的全集成式接近和環(huán)境光光學(xué)傳感器。超高亮度的超薄ChipLED將出現在展會(huì )上，以及業(yè)內首款采用表面貼裝封裝，可用于太陽(yáng)能、風(fēng)能機組裝置的符合CAT IV的高壓隔離光耦。