羅姆開(kāi)發(fā)出超低IR肖特基勢壘二極管

　　日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都)近日面向車(chē)載、電源設備，開(kāi)發(fā)出高溫環(huán)境下亦可使用的超低IR肖特基勢壘二極管“RBxx8系列”。與傳統的車(chē)載用整流二極管相比，可降低約40%的功耗，非常有助于電動(dòng)車(chē)(EV)和混合動(dòng)力車(chē)(HEV)等要求更低功耗的電路節能。

　　本產(chǎn)品已從1月份開(kāi)始銷(xiāo)售樣品(樣品價(jià)格50～200日元/個(gè))，從5月份開(kāi)始以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規模進(jìn)行量產(chǎn)。關(guān)于生產(chǎn)基地，前期工序在羅姆ROHM Wako Co., Ltd.(日本岡山縣)，后期工序在ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(馬來(lái)西亞)，ROHM Integrated Systems (Thailand) Co.,Ltd.(泰國)、ROHM Korea Corporation(韓國)進(jìn)行?！　?/p>

 　　高溫環(huán)境下使用的車(chē)載、電源設備的電路中，由于擔心熱失控，因此普遍采用整流二極管和快速恢復二極管(FRD)。但是由于整流二極管和FRD的VF值較高，因此很難實(shí)現EV和HEV所要求的更低功耗。在這種背景下，VF值較低的肖特基勢壘二極管(SBD)在高溫環(huán)境下亦可安全使用的產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)需求逐年高漲。

　　此次，羅姆通過(guò)采用最適合高溫環(huán)境的金屬，實(shí)現了業(yè)界頂級低IR化。與傳統的SBD相比，IR降低到約1/100，使高溫環(huán)境下的使用成為可能。

　　由此，整流二極管和FRD的替換成為可能，VF特性得以大幅改善(與傳統的FRD相比，VF降低約40%)。另外，更低VF可以抑制發(fā)熱，成功實(shí)現小型化封裝，有助于不斷電子化、小型化需求高漲的EV、HEV節省空間。

　　羅姆今后還會(huì )進(jìn)一步推進(jìn)整流二極管的替換帶來(lái)的低VF化、小型化，不斷為提高車(chē)載、電源設備的效率做出貢獻?！　?/p>