羅姆開(kāi)發(fā)出超低IR肖特基勢壘二極管

 　　<規格>　　

 

　　<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>
　　?肖特基勢壘二極管(Schottky-Barrier Diode：SBD)
　　使金屬和半導體接觸從而形成肖特基結，利用其可得到整流性(二極管特性)的二極管。具有“正向壓降少、開(kāi)關(guān)速度快”的特點(diǎn)。主要用于開(kāi)關(guān)電源等。

　　?快速恢復二極管(Fast Recovery Diode： FRD)
　　正向施加的電壓向反向切換時(shí)，反向電流瞬間流過(guò)。這種電流到零之間的時(shí)間―即反向恢復時(shí)間快的一種二極管。

　　?VF ( Forward Voltage)
　　是指正向電流經(jīng)過(guò)時(shí)二極管產(chǎn)生的電壓值。數值越小功耗越少。

　　?IR(Reverse Current)
　　是指施加反向電壓時(shí)發(fā)生的反向電流。數值越小功耗越少。

　　?熱失控
　　反向損耗超過(guò)散熱，損耗進(jìn)一步增加，產(chǎn)品溫度呈指數級上升的狀態(tài)。