羅姆開(kāi)發(fā)出車(chē)載用內置絕緣元件的柵極驅動(dòng)器

　　另外，針對逆變器電路中內置SiC元件、模塊時(shí)的噪音，通過(guò)與引以為豪的“業(yè)界最尖端”的羅姆自產(chǎn)SiC元件、模塊相結合進(jìn)行開(kāi)發(fā)，以最佳的電路設計成功解決了這個(gè)問(wèn)題，從而成為業(yè)界唯一支持SiC的內置絕緣元件的柵極驅動(dòng)器?！　?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/132770.htm

　　羅姆將以SiC為首的功率元件事業(yè)作為發(fā)展戰略之一定位，于2012年3月世界首家開(kāi)始了“全SiC”功率模塊的量產(chǎn)。今后，羅姆繼續推進(jìn)最大限度發(fā)揮SiC特性的柵極驅動(dòng)器的開(kāi)發(fā)，同時(shí)，還將推進(jìn)SiC-IPM(智能功率模塊)等的開(kāi)發(fā)，不斷完善SiC相關(guān)產(chǎn)品的陣容。

　　<特點(diǎn)>

　　1) 通過(guò)羅姆獨創(chuàng )的無(wú)鐵芯變壓器技術(shù)，內置2,500Vrms絕緣元件

　　2) 小型封裝
　　與傳統產(chǎn)品相比，SSOP-B20W( 6.5mm×8.1mm　H=Max 2.01mm)將安裝面積減少了50%以上

　　3) 通過(guò)內置所有的保護功能，實(shí)現安全設計
　　內置了車(chē)載逆變器電路所要求的全部保護功能：米勒鉗位功能、故障輸出功能、低電壓時(shí)誤動(dòng)作防止功能、熱保護功能、短路保護功能、短路保護時(shí)軟關(guān)斷功能。

　　《主要規格》　　

 

　　4) 還支持SiC的高速開(kāi)關(guān)
　　業(yè)界唯一支持SiC元件電路的產(chǎn)品。羅姆生產(chǎn)的SiC可以在最大800V、400A輸出狀態(tài)下確保穩定驅動(dòng)?！　?/p>

 

　　<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>

　　?IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor的簡(jiǎn)稱(chēng))
　　絕緣柵雙極晶體管。在柵極構建了MOSFET的雙極晶體管。
　　?MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field　Effect　Transistor的簡(jiǎn)稱(chēng))
　　金屬-氧化物-半導體場(chǎng)效應晶體管，是FET中最被普遍使用的結構。作為開(kāi)關(guān)元件使用。