內置AMD Radeon HD 7970處理器拆解

圖2：AMD-RADEON HD 7970顯卡處理器工藝節點(diǎn)的確定(點(diǎn)擊圖片可放大)

　　基于掃描式電子顯微鏡(SEM)以及透射電子顯微鏡(TEM)的結構分析報告表明，上述過(guò)程的工藝節點(diǎn)為低于30納米的節點(diǎn)。我們選擇了金屬1層pitch和6T-SRAM單元的區域，對工藝節點(diǎn)進(jìn)行確定，并在圖2中進(jìn)行了繪制。NMOS和PMOS具有相似的結構，但PMOS的晶體管使用的是源/漏極水平的鍺化硅，從而提高可移動(dòng)性，同時(shí)，這種半導體在柵極疊層中還采用了其他的金屬層，從而對逸出功進(jìn)行調整。我們將在后面的報告中對此進(jìn)行詳細探討。

　　過(guò)去廣泛認為，第三代Redeon顯卡將會(huì )使用TSMC最新的工藝節點(diǎn)。但是，在獲得帶有內置鍺化硅的HKMG產(chǎn)品，以及超低介電IMD后，Radeon顯卡成為了非常優(yōu)秀的世界領(lǐng)先的處理器中的一員。此外，這款產(chǎn)品還成就了一家顯卡設計公司和一家晶圓帶工廠(chǎng)之間的長(cháng)期合作關(guān)系。這款顯卡很可能會(huì )發(fā)掘出更多的電腦游戲創(chuàng )新。