飛兆半導體650V場(chǎng)截止IGBT
—— 提高功率轉換應用的效率和系統可靠性
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時(shí)間：2012-03-28
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
太陽(yáng)能功率逆變器、不間斷電源(UPS)以及焊接應用的設計人員面臨提高能效，滿(mǎn)足散熱法規，同時(shí)減少元件數目的挑戰。有鑒于此，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開(kāi)發(fā)了一系列針對光伏逆變器應用的650V IGBT產(chǎn)品，幫助設計人員應對這一行業(yè)挑戰。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/130776.htm
飛兆半導體公司的場(chǎng)截止IGBT技術(shù)能夠讓設計人員開(kāi)發(fā)出具有更高輸入電壓的高可靠系統設計，同時(shí)提供具有低導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗的最佳性能。另外，650V IGBT具有大電流處理能力、正溫度系數、嚴格的參數分布，以及較寬的安全工作區等特點(diǎn)。
更高的擊穿電壓改善了寒冷環(huán)境溫度下的可靠性，隨著(zhù)溫度的降低，IGBT和FRD阻斷電壓亦會(huì )下降，因而650V IGBT特別適合較冷氣候之下工作的太陽(yáng)能光伏逆變器。仔細選擇IGBT和續流二極管是獲得最高效率的必要條件，650V IGBT提供了快速和軟恢復特性，能夠降低功率耗散，并減小開(kāi)啟和關(guān)斷損耗。
特性和優(yōu)勢
- 具有更高的阻斷電壓能力，無(wú)需犧牲性能
- 具有正溫度系數，易于并聯(lián)工作，可實(shí)現不發(fā)熱的嵌板應用，防止系統過(guò)載
- 大電流容量，實(shí)現大功率DC/AC轉換
- 最高結溫：TJ=175oC
- 低飽和壓降：Ic=40A / 60A額定電流下，VCE(sat)= 1.9V(典型值)
- 高開(kāi)關(guān)速度，可讓系統保持高效率
- 低導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗
- 寬安全工作區 – 允許更高的功率耗散
- 嚴格的參數分布
- 滿(mǎn)足RoHS要求
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