2012年LTPS及IGZO面板將迅速成長(cháng)150%

　　據NPD DisplaySearch 智能手機和平板電腦爆發(fā)式成長(cháng)，使得LTPS(low temperature polysilicon低溫多晶硅技術(shù))和IGZO(indium gallium zinc oxide組成的非結晶氧化物半導體技術(shù))等生產(chǎn)高分辨率顯示器技術(shù)更為重要。這些TFT技術(shù)采用高移動(dòng)速率半導體材料以減小TFT維度，提高光穿透率。分辨率超過(guò)每英寸230像素(230 PPI)的液晶面板，如蘋(píng)果的Retina Display，高光穿透率可以使能耗降到最低，使可攜式設備可長(cháng)時(shí)間使用而不用充電。

　　根據NPD DisplaySearch TFT LCD制程技術(shù)藍圖趨勢報告(TFT LCD Process Roadmap Report)指出，2012年高移動(dòng)速率TFT-LCD背板產(chǎn)量預計將提高150%，從2011年的560萬(wàn)平方米迅速發(fā)展到1千410萬(wàn)平方米。如此高成長(cháng)的驅動(dòng)力主要在于許多五代線(xiàn)和更大的低溫多晶硅(LTPS)產(chǎn)線(xiàn)于2012年開(kāi)始投入生產(chǎn)，且夏普、樂(lè )金顯示和三星現有的產(chǎn)線(xiàn)也投入生產(chǎn)金屬氧化物(IGZO)。

　　“智能手機、平板電腦和成本降低將成為2012年平板顯示產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的關(guān)鍵驅動(dòng)力。”NPD DisplaySearch制造領(lǐng)域研究副總Charles Annis表示，“由于平板顯示獲利壓力大，面板廠(chǎng)商轉而投入快速發(fā)展的可攜式應用，并積極尋求各種可降低成本的策略。因此，采用高移動(dòng)速度材料背板、光配向(optical alignment)、高分辨率曝光技術(shù)(high resolution lithography)和先進(jìn)的液晶模塊組合預計將在明年成為最重要的生產(chǎn)技術(shù)。”

　　所有的技術(shù)都在于如何提高面板的光穿透率。一般而言只有4-9%的背光能夠穿過(guò)到前端顯示屏，為達亮度指標會(huì )因此要求高強度的光源;另外，背光模組是大尺寸液晶模塊中成本占比較高的單一組件。因此，通過(guò)提高光穿透率，面板商就可以降低能耗和成本。

　　“廠(chǎng)商們期待真正好的新技術(shù)是能夠提高光穿透率同時(shí)不降低良率。面板商和其供應商都在努力開(kāi)發(fā)生產(chǎn)技術(shù)，力爭取得競爭優(yōu)勢以提高2012年利潤。”Annis補充到，“目前看來(lái)，像金屬氧化物(IGZO)這樣的技術(shù)，一方面可提高面板性能一方面可降低成本，將使面板商獲取高度競爭優(yōu)勢，將有機會(huì )成為未來(lái)平板顯示產(chǎn)業(yè)制造新標準。”

　　NPD DisplaySearch新出版TFT LCD制程技術(shù)藍圖趨勢報告(TFT LCD Process Roadmap Report)，報告針對FPD新進(jìn)生產(chǎn)技術(shù)做了獨到且深入的分析。報告按制造工藝流程進(jìn)行技術(shù)探討，分析工序流程和制造商采用新技術(shù)現狀，對57種生產(chǎn)技術(shù)未來(lái)的應用進(jìn)行預測并分析相應的優(yōu)點(diǎn)、機會(huì )與挑戰等。同時(shí)報告對目前到2016年液晶顯示器的性能指標也做了分析預測。