新思使創(chuàng )意電子ARM處理器頻率達到1GHz

　　日前，新思科技與創(chuàng )意電子宣布，創(chuàng )意電子采用新思科技Galaxy.實(shí)作平臺(Implementation Platform) 中的關(guān)鍵工具IC Compiler，讓ARM. Cortex.-A9 MPCore.雙核心處理器達到超過(guò)1 GHz頻率效能。新思科技的高效能Galaxy設計實(shí)作解決方案，能以最低功耗達到超過(guò)1 GHz頻率的效能，同時(shí)降低設計時(shí)程的風(fēng)險。

　　創(chuàng )意電子總經(jīng)理賴(lài)俊豪表示：“身為彈性客制化IC領(lǐng)導廠(chǎng)商，我們服務(wù)的客戶(hù)需要面對競爭激烈的智能電子產(chǎn)品市場(chǎng)。對客戶(hù)而言，效能、功耗和上市時(shí)程是勝出的關(guān)鍵。而利用新思科技的先進(jìn)工具技術(shù)，結合我們在先進(jìn)工藝和低功耗設計上的專(zhuān)業(yè)能力，得以強化我們的服務(wù)并滿(mǎn)足客戶(hù)需求。”

　　創(chuàng )意電子設計服務(wù)處處長(cháng)李宏俊表示：“在設計高階處理器時(shí)，我們在提高時(shí)鐘頻率上，曾面臨到許多挑戰，而促使我們采用IC Compiler。搭配新思科技Design Compiler. 的拓樸繪圖技術(shù)(topographical)，IC Compiler的快速設計收斂功能可協(xié)助我們達成目標頻率并及時(shí)投片。在40奈米及28奈米高階處理器固化上，我們已經(jīng)統一采行IC Compiler解決方案。”

　　即將應用于高階數字電視芯片, 規模達到500萬(wàn)邏輯閘, 內含雙內核的ARM Cortex-A9處理器，是采用臺積電40奈米低功耗制程，在未使用超電壓(overdrive voltage)的情況下，變異最大制程條件(worst process corner)的時(shí)鐘頻率仍可達到1 GHz，而一般制程條件則可達1.3 GHz。創(chuàng )意電子使用新思科技Galaxy實(shí)作方法，克服了為達到上述時(shí)鐘頻率與功耗水平所衍生的設計挑戰，其中包括：

　　高效能設計深受存貯器擺設位置的影響，常使得存貯器與處理器之間所需的資料存取時(shí)間很難達到預期頻率。

　　為達到較佳頻率與可繞線(xiàn)度(routability)，使用寄存器庫(register bank)時(shí)必須仰賴(lài)結構性置放技術(shù)的支援。

　　當芯片使用率超過(guò)80%時(shí)，必須從一開(kāi)始就考量時(shí)序(timing)與繞線(xiàn)壅塞(congestion)，并整合設計綜合(synthesis)到布局與布線(xiàn)(place and route)所有步驟。

　　時(shí)脈偏離(skew)與推遲(latency)仰賴(lài)良好的時(shí)脈分配網(wǎng)絡(luò )。

　　創(chuàng )意電子的Galaxy實(shí)作流程重點(diǎn)包括：

　　通過(guò)Design Compiler 拓樸繪圖技術(shù)為IC Compiler實(shí)體實(shí)作(physical implementation)創(chuàng )造較佳的初始網(wǎng)表(netlist)。

　　利用IC Compiler之宏指令放置設計規劃技術(shù)及物理數據路徑技術(shù)，達成最佳的寄存器庫置放。

　　使用PrimeTime.達成實(shí)作與靜態(tài)時(shí)序分析 (static timing analysis)間的緊密關(guān)聯(lián)性，以達到高效能、低功耗及符合預期的結果。

　　新思科技設計實(shí)作事業(yè)群資深副總裁暨總經(jīng)理Antun Domic表示：「就高效能處理器設計而言，新思科技的IC Compiler是業(yè)界廣為認可的使用工具。我們持續不斷的精進(jìn)優(yōu)化以提供高時(shí)鐘頻率、同時(shí)消耗最低功耗的技術(shù)。此次與創(chuàng )意電子的合作，在流片過(guò)程中成功地達到超過(guò)1 GHz頻率的效能，顯見(jiàn)我們的技術(shù)帶來(lái)致勝的結果?！?/p>