英飛凌射頻大功率管技術(shù)交流會(huì )成功舉辦

　　2011年12與1日，全球知名的半導體企業(yè)英飛凌攜手其增值服務(wù)分銷(xiāo)商世強電訊，在福建泉州聯(lián)袂舉辦“英飛凌射頻大功率管技術(shù)交流會(huì )”，會(huì )議主要邀請了來(lái)自泉州及周邊城市微波射頻領(lǐng)域的資深技術(shù)工程師、管理人員等前來(lái)參會(huì )。

　　圖：英飛凌射頻大功率管技術(shù)交流會(huì )簽到處

　　本次會(huì )議旨在向業(yè)內客戶(hù)分享射頻領(lǐng)域最新的技術(shù)應用與市場(chǎng)情況，同時(shí)趁此機會(huì )與現場(chǎng)的工程師們面對面交流技術(shù)設計中的種種疑問(wèn)，并探討最佳的解決之道。會(huì )議首先由來(lái)自英飛凌的工程師介紹英飛凌LDMOS產(chǎn)品路線(xiàn)及封裝科技，對于現場(chǎng)工程師們比較關(guān)注的infineon LDMOS APD Doherty設計經(jīng)驗分享則放在本次會(huì )議的重心環(huán)節，詳細介紹了Infineon LDMOS供電pin腳的特殊之處，以及如何通過(guò)LDMOS型號功率來(lái)進(jìn)行功率分配，微帶計算，從而進(jìn)行Doherty功放設計;同時(shí)針對目前技術(shù)發(fā)展需求，介紹了非對稱(chēng)2路Doherty PA的設計方法，3路Doherty PA設計方法，并著(zhù)重介紹了如何調試的問(wèn)題;另外，還就Infineon小信號這一塊，如LNA做了相關(guān)介紹;主辦方還安排出充足的時(shí)間對現場(chǎng)提出的各種問(wèn)題進(jìn)行了深度交流與溝通。

　　圖為：英飛凌射頻大功率管技術(shù)交流會(huì )現場(chǎng)

　　來(lái)自世強的資深FAE重點(diǎn)對幾款英飛凌LDMOS功放DEMO做了介紹，如針對單載波WCDMA設計的射頻方案，針對PICO 1W項目設計的方案，針對寬帶LDMOS設計的射頻方案等，這些demo方案，大多是由世強射頻實(shí)驗室設計而成，根據不同客戶(hù)的需求做的一些方案設計，在保證客戶(hù)性能的同時(shí)，力求設計簡(jiǎn)單，匹配容易，效率高，與預失真配合良好等特點(diǎn)?，F場(chǎng)還詳細介紹了Infineon LDMOS性?xún)r(jià)比非常高的幾款產(chǎn)品，尤其是針對大功率，如250W單管封裝，340W的LDMOS產(chǎn)品。針對這些產(chǎn)品與技術(shù)方案，世強電訊可憑借強有力的FAE支持團隊，給予客戶(hù)更大力度的支持。