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　　“非易失性存儲器”作為新一代國際公認存儲技術(shù)，越來(lái)越受到世界各國高度重視。從7日在滬召開(kāi)的第十一屆非易失性存儲器國際研討會(huì )上獲悉，上海在這一領(lǐng)域的研究已躋身國際先進(jìn)水平。

　　與易失性存儲器相比，非易失性存儲器具有高速、高密度、可微縮、低功耗、抗輻射、斷電后仍然能夠保持數據等諸多優(yōu)點(diǎn)。隨著(zhù)技術(shù)發(fā)展，非易失性存儲器分為相變存儲器、磁性存儲器、電阻式存儲器、鐵電存儲器等諸多類(lèi)型。

　　中國科學(xué)院上海微系統所、中芯國際、micro-chip是產(chǎn)學(xué)研結合的團隊，一直致力于研究我國自主的相變存儲芯片和存儲產(chǎn)品。

　　據中科院上海微系統所宋志棠研究員介紹，由上海微系統所、中芯國際和micro-chip組成的聯(lián)合研究團隊在相變存儲器芯片的工程化研究方面已經(jīng)取得突破性進(jìn)展，研制出8Mb測試芯片，并實(shí)現全部存儲功能，8英寸整片Bit優(yōu)良率超過(guò)99%，開(kāi)發(fā)出自主IP的雙溝道隔離二極管陣列，成功實(shí)現了工藝集成和相關(guān)功能的演示，并建立了8英寸整片測試系統。

　　在此基礎上，上海微系統所與中芯國際建立了12英寸專(zhuān)用PCRAM平臺。12英寸40納米相變存儲器的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)也取得了重要進(jìn)展，完成了第一版芯片的設計，并進(jìn)入關(guān)鍵的工藝開(kāi)發(fā);初步完成了尺寸為60-70納米的相變材料填充和拋光、刻蝕等單項工藝開(kāi)發(fā)。

　　第十一屆非易失性存儲器國際研討會(huì )由國際電子電氣工程師學(xué)會(huì )主辦，中國科學(xué)院上海微系統與信息技術(shù)研究所和新加坡數據存儲研究院共同承辦，是國際非易失性存儲器領(lǐng)域第一次在中國召開(kāi)的權威會(huì )議。來(lái)自美國、法國、德國、西班牙、俄羅斯等10個(gè)國家和地區200多位專(zhuān)家學(xué)者和業(yè)內人士參加了此次會(huì )議。在為期三天的會(huì )議期間將舉行10場(chǎng)大會(huì )報告和交流報告，圍繞非易失性存儲器領(lǐng)域的最新發(fā)展進(jìn)行學(xué)術(shù)交流和研討。