安森美半導體的電源和適配器方案

　　5) 線(xiàn)性穩壓器：壓降低至40 mV，輸出電流范圍從80mA至3 A，電源抑制比高達90 dB，超快速瞬態(tài)響應不到1 μs，2.5 μA的超低靜態(tài)電流(Iq)和接地電流(Ignd)。

　　表5：線(xiàn)性穩壓器器產(chǎn)品一覽

　　6) 各種電源轉換MOSFET：這類(lèi)功率器件可以分為幾類(lèi)，如低導電損耗、低RDS(on)的ORing MOSFET，其IM總線(xiàn)ORing為30 V，48 V總線(xiàn)ORing為100 V;隔離式拓撲結構DC-DC(磚式) MOSFET，提供低導電損耗的低RDS(on)，集成了低損耗肖特基二極管，耐熱增強型SO-8 FL適用于需要散熱的應用;非隔離式拓撲結構降壓DC-DCMOSFET，除具有低傳導損耗的低RDS(on) 特點(diǎn)，還集成了提高輕載效率的肖特基二極管，耐熱增強型SO-8 FL封裝適用于需要散熱的應用。

　　7) MOSFET驅動(dòng)器：這些器件提供兩個(gè)輸出，可驅動(dòng)高電壓功率MOSFET和IGBT，適合多種拓撲結構(如半橋、非對稱(chēng)半橋、有源鉗位、全橋)，電壓范圍高達600 V，dV/dt免疫力為±50 V/ns，與行業(yè)標準引腳對引腳兼容。

　　8) 基于溝道的肖特基二極管：這類(lèi)器件具有低Vf及高工作溫度能力的特點(diǎn)，有助于提高能效。

　　9) 電壓基準：精確的基準電壓從0.9 V至2.5 V，嚴格的電壓容限為0.4%至3%，輸出電壓范圍高達36 V;此外，還具有低動(dòng)態(tài)阻抗、低噪聲和穩定運行的特點(diǎn)，豐富的封裝包括表面貼裝和通孔。

　　全方位電源優(yōu)勢

　　安森美半導體利用其豐富的電源專(zhuān)長(cháng)、解決方案和產(chǎn)品，幫助設計人員快速提高系統能效。這些產(chǎn)品和解決方案可節省能耗，提供高性?xún)r(jià)比的電源，以滿(mǎn)足不斷變化的全球能效標準。高能效電源方案能幫助客戶(hù)完成提高其產(chǎn)品能效的挑戰，如低待機模式能耗、高工作模式能效和功率因數校正。

　　安森美半導體在全球擁有廣泛的設計和應用資源網(wǎng)絡(luò )，現場(chǎng)應用工程師以客戶(hù)為中心的支持，幫助客戶(hù)優(yōu)化電源設計。